Skip to main content
Vai all'homepage della Commissione europea (si apre in una nuova finestra)
italiano it
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS
Contenuto archiviato il 2022-12-23

Intralevel transitions in quantum dots: development of far infrared quantum dot laser

Obiettivo

The main purpose of the present project is to develop an European research efforts on new types of infrared lasers based on intralevel (intersublevel) transitions of carriers in quantum dot (QD) structures. A new type of far-infrared emitter have been recently proposed and realized by the authors of the project. This emitter is based on intralevel optical transitions in quantum dots where efficient depopulation of the ground state of the QD is realized due to lasing in the near optical range. As opposite to spontaneous recombination, since lasing starts, all the nonequilibrium carriers recombine over limited number of energy levels and, thus the stimulated emission time can be reduced to subpicosecond range at currents sufficiently exceeding threshold. In other hand, the relaxation time from higher lying filled QD energy levels to the ground state remains sufficiently long due to lack of continuum states matching the LO-phonon energy. Thus the realization of population inversion for intralevel transitions can be easily realized. The spontaneous far-infrared emission in high power QD laser which is much more efficient than in a quantum well (QW) laser with similar parameters have been already observed by project authors.

The majority of the work of the project will be performed using the quantum dot structures grown by the participants of the project in Russia. To realize the far-infrared laser
i) InGaAs/GaAs structures with quantum dots of different size, shape and relative arrangement (uncoupled, vertically coupled) will be designed and grown. The theoretical and experimental investigations of far infrared emission and absorption in QD structures due to sublevel-sublevel and continuum-sublevel carrier transitions will be carried out. The optical pumping and current injection of electrons and holes into QD layers will be used. The results will be compared with reference QW structures. Characteristics of QD structures and carriers will be defined using experimental and theoretical study of processes of QD impact ionisation by hot electrons and holes in strong longitudinal electric field. The capture cross-section and ionisation rate will be determined;
ii) The edge emitting laser structures with composite wave guide will be specially designed for simultaneous generation of intraband FIR radiation due to intralevel transitions in QD and interband near infrared (NIR) radiation. Stimulated FIR and NIR radiation from lasers will be studied. The vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) based on QD with semiinsulating mirrors and intracavity contacts will be designed and created to investigate infrared emission completely avoiding free carrier absorption.

The experimental data for the different phenomena will be compared with the theory. The results of the experimental and theoretical work will be submitted as joint publications in the research journals and as presentations at international conferences.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

Questo progetto non è ancora stato classificato con EuroSciVoc.
Suggerisci i campi scientifici che ritieni più rilevanti e aiutaci a migliorare il nostro servizio di classificazione.

È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

Dati non disponibili

Coordinatore

Institute for Semiconductor Physics
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
Walter-Korsing Str. 2
15230 Frankfurt (Oder)
Germania

Mostra sulla mappa

Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (5)

Il mio fascicolo 0 0