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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2022-12-23

AHP crucibleless crystal growth: method development and investigation of faceted dielectric crystal growth

Ziel

Large high-quality dielectric single crystals are needed for a variety of hi-tech optical, acoustical and other applications. A purely experimental, trial-and-error approach to the design of specific crystal growth systems is now known to be a thing of the past. Advanced manufacturers routinely employ combined computational and experimental predictive methods when designing and optimizing growth systems. However, well established for growth of semiconductor materials, this approach is still new when designing facilities for growth of dielectrics.

The highly nonlinear and three-dimensional nature of radiative heat transport and faceting phenomena, associated with dielectric crystal growth, has hampered investigations of such growth facilities. Having said this, we should mention that significant advances in the study of growth of semitransparent faceted single crystals have been made during the INTAS project 00-263, using both experimental and numerical approaches. Unique experimental methods capable of accurate, spatially resolved, interfacial undercooling measurements have been developed.

New numerical approaches to study of faceting phenomena in two-and-three dimensional geometries have been developed and applied. Detailed, state-of-the-art methods for calculation of radiative heat transport during the growth of semitransparent crystals with diffuse or specular boundaries have also been developed. In this proposed project we intend to develop a novel low-cost crucibleless AHP method for the growth of large Bi4Ge3O12, Bi12GeO20, Bi12SiO20 and CzI(Tl) crystals with arbitrary cross-sectional shapes as a first step for development of the relevant crystal growth technology.

We will base the development of this the technology mainly on:
- fundamental investigations of faceting phenomena, both from an experimental and from a computational point of view,
- fundamental analyses of radiative transport in realistic relevant geometries,
- determination of relevant thermo-physical and optical properties using both measurements and new support software,
- development of methods for optimization of the growth process,
- development of fast simplified models of the growth process to be used in real time to control the thermal conditions by programming the multi-section AHP heater and the position and the aperture of the diaphragm that regulates radiative heat transfer through the growing crystal.

The proposed project will advance current understanding of science and technology associated with the growth of dielectric single crystals. Areas in which advancement is expected include: coupled transport phenomena and interfacial kinetics, data associated with thermo-physical and optical properties of relevant materials, numerical analysis of faceting phenomena, numerical analysis of radiative heat transport in complex domains with non-trivial boundary properties, novel AHP crystal growth method (instrumentation, control and basic approach to crystal growth)

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

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Schlüsselbegriffe

Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Daten nicht verfügbar

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

Daten nicht verfügbar

Koordinator

TECHNION - ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
TECHNION CITY
HAIFA
Israel

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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (5)

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