Objetivo
The subject of this proposal is the design and fabrication of negative-differential resistance (NDR) devices on silicon substrate. The objective is a theoretical and experimental assessment of emerging NDR technologies providing a robust and manufacturability device operation on the nano-scale. The monolithic combination with suitable 3-terminal devices on Si substrate will be elaborated. This combination allows the realisation of novel high speed and digital circuits based on architectures implementing negative-differential resistance devices. Based on this technology both novel circuit families like the hardware implementation of advanced re-programmable neurons as well as a quantitative performance improvement is aimed at.
OBJECTIVES
QUDOS will make a robust negative-differential device technology on the available on a Si-substrate. The manufacturability, compatibility to Si circuitry, and performance of promising emerging candidates will be quantitatively elaborated. The benefit of this outstanding device functionality will be implemented in novel circuit architectures providing an ultra-high speed receiver, and a threshold logic gate. The latter approach will enable re-programmable advanced neurons. Their large-scale future hardware implementation will be studied in detail and quantitatively compared to present software implementations.
DESCRIPTION OF WORK
On a silicon substrate both the Si/SiGe and the III/V material system is experimentally studied towards a manufacturability NDR device. The low growth temperature of the molecular beam epitaxy enables abrupt doping interfaces for inter-band tunnelling diodes (ITD). This approach will be scaled down to the nm-range by self-assembled Ge-dots incorporated in the tunnelling layers aiming at a higher current density at a reduced capacitive load. A novel design of a SixGe1-x quasi substrate enables a stress dependent conduction band discontinuity at the barrier/well interface for resonant tunnelling diode (RTD) operation.
This approach is aiming at an even more reduced capacitive load and a higher temperature budget for a more flexible co-integration with Si circuits. Recently nano-meter scale pre-pattering treatment of Si-substrate enables the growth of high quality InP-buffer layers and consequently the first successful demonstration of a III/V RTD on Si. This approach aims at the availability of their outstanding speed performance for co-integration with Si circuits. The potential of these approaches will be checked against robustness and technological needs for co-integration using an appropriate circuit architecture and demonstrator. Based on technological data a high-speed latch, a threshold gate and a re-programmable neuron will be developed and tested.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
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Palabras clave
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
47057 DUISBURG
Alemania
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.