HIGHLY MELTING METAL OVERLAYERS ON III-IV COMPOUND SEMICONDUCTOR SURFACES GROWTH MECHANISM AND ELECTRICAL PROPERTIES

Projektinformationen

ID Finanzhilfevereinbarung: ST2*0002

Projekt abgeschlossen

Startdatum 1 Januar 1986

Enddatum 31 März 1988

Finanziert unter

• Plan (EEC) to stimulate European scientific and technical cooperation and interchange, 1985-1988

Gesamtkosten € 0,00

EU-Beitrag Keine Daten

Koordiniert durch

AACHEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Germany

Wissenschaftliches Gebiet

• natural sciences › physical sciences › electromagnetism and electronics › semiconductivity

Programm/Programme

• FP1-STIMULATION 1C - Plan (EEC) to stimulate European scientific and technical cooperation and interchange, 1985-1988

Thema/Themen

Data not available

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Data not available

Finanzierungsplan

CSC - Cost-sharing contracts

Koordinator

AACHEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Templergraben 55 ; 52056 AACHEN ; Deutschland
• Gesamtkosten: Keine Daten

Beteiligte (1)

UNIVERSITE DE LA MEDITERRANEE D'AIX-MARSEILLE II

Frankreich

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Antenne de Toulon, Zone Portuaire de Brégaillon ; 83507 LA SEYNE SUR MER
• Gesamtkosten: Keine Daten