Des matériaux de collage des wafers incompatibles rendus compatibles
Le collage des wafers dans l'industrie micro-électronique est utilisé pour la fabrication de microsystèmes et de matériaux de silicium sur isolant. Les processus courants de collage nécessitent une activation chimique par voie humide et des températures élevées, avec des pics atteignant 1000 degrés Celsius. Les températures de cette magnitude rendent certains composés métalliques incapables de supporter les processus de fabrication, ce qui réduit les possibilités d'optimisation. C'est en tenant compte des limites imposées par des températures élevées qu'une université suédoise a étudié le procédé de collage des wafers de silicium en chambre. Ce procédé utilise les techniques de pulvérisation et d'évaporation par lesquelles les surfaces du wafer sont exposées à l'oxygène, au nitrogène ou aux gaz plasma d'argon. Le gaz est ionisé en un ensemble de particules chargées de sorte que lorsque le plasma est dirigé vers la cible métallique, le matériau peut être déposé sur un wafer de silicium. D'après les résultats de ce procédé innovant, les structures mécaniques et électriques disposant de différentes températures de fusion peuvent être fusionnées en un composant unique et stable; le tout étant effectué à température ambiante. Les expériences ont également montré que le silicium de type N (100), l'oxyde de silicium et le quartz cristallin présentent des énergies de surface élevées équivalentes aux techniques traditionnelles de recuisson à haute température. La fabrication de microsystèmes est le premier champ d'action, mais les chercheurs envisagent des applications potentielles à tous les niveaux de l'industrie micro-électronique. D'autres recherches sont actuellement en cours à l'université, laquelle serait intéressée par des aides supplémentaires au développement et des accords de licence.
