Materiali prima incompatibili per la creazione di legami sui wafer vengono resi compatibili
Il processo di creazione di legami sui wafer viene impiegato, nel settore della microelettronica, per la fabbricazione di microsistemi e di materiali "silicio su isolante". I processi attualmente utilizzati richiedono l'attivazione con sostanze chimiche allo stato liquido e temperature elevate, che possono anche raggiungere 1000 gradi Celsius. Temperature di tale ordine di grandezza impediscono ad alcuni composti metallici di tollerare i processi di fabbricazione, con notevoli limitazioni. Per risolvere questo problema, un'università svedese ha studiato i processi di creazione di legami sui wafer di silicio a temperatura ambiente. Con la tecnica di evaporazione e sputtering, le superfici dei wafer vengono esposte a un plasma di ossigeno, azoto o argo; il gas ionizzato viene diretto sulla superficie metallica e quindi il materiale può essere depositato sul wafer di silicio. Questo processo innovativo consente di unire, in un singolo componente stabile e a temperatura ambiente, strutture elettriche e meccaniche caratterizzate da temperature di fusione diverse. L'esperimento ha rivelato anche che il silicio di tipo N (100), il biossido di silicio e il quarzo cristallino presentano energie superficiali elevate, equivalenti a quelle ottenibili con le tecniche convenzionali di tempra ad alta temperatura. Benché l'impiego principale sia la fabbricazione di microsistemi, i ricercatori prevedono altre applicazioni in tutti gli ambiti del settore della microelettronica. L'università sta conducendo ulteriori ricerche e sarebbe interessata a stabilire accordi di licenza e di supporto allo sviluppo.
