Prever la nanofabricación atómica
Las nuevas técnicas han permitido la fabricación a escala nanométrica en lugar de micrométrica. La litografía atómica neutra (NAL) es una de esas técnicas de nanofabricación (ANF, por sus siglas en inglés). En comparación con la otra técnica común de ANF, la deposición directa, la litografía atómica neutra asistida por resistencia no requiere haces atómicos de gran dosis y es compatible con los metales del Grupo III. Científicos del Instituto de Física Aplicada (IAP) de la Universidad de Bonn, Alemania, estudiaron la posibilidad de extender la litografía atómica neutra asistida por resistencia del cesio y del bario al galio y el indio. Los alemanes emplearon una monocapa autoensamblada (SAM, por sus siglas en inglés) para facilitar la transferencia del modelo generado por el haz atómico, que posteriormente se modifica con máscaras ópticas o mecánicas, en el sustrato subyacente. Las SAM compuestas de alcanotioles o organosilicio fueron eficientes. El IAP demostró la viabilidad de los haces atómicos de galio e indio con sustratos de oro recubiertos con tioles. Al final del proyecto se habían adquirido importantes conocimientos sobre el funcionamiento interno de la NAL. Así mismo, comprobar la viabilidad de los metales del Grupo III es muy importante debido a su uso generalizado en aplicaciones ópticas, electrónicas y en la Tecnología de la Información.
