Des progrès au niveau de la nanofabrication atomique
Des nouvelles techniques ont permis à la fabrication de passer du micromètre à l'échelle du nanomètre. La lithographie à atomes neutres assistée par réserve (NAL, neutral atom lithography) est une des techniques de nanofabrication atomique (ANF, atomic nanofabrication). En comparaison à l'autre technique ANF courante, le dépôt direct, la NAL assistée par une réserve n'exige pas de faisceaux atomiques à dosage élevé et est compatible avec les métaux de groupe III. Des scientifiques de l'institut de physique appliquée (IPA) de l'université de Bonn en Allemagne ont étudié la possibilité d'étendre la NAL assistée par une réserve du césium et du baryum au gallium et à l'indium. Les Allemands ont utilisé une monocouche auto-assemblée (SAM, Self-Assembled Monolayer) pour faciliter le transfert sur le substrat sous-jacent du modèle généré par le faisceau atomique, qui est ensuite modifié par des masques optiques ou mécaniques. Les SAM constituées d'alcanethiols ou d'organosilicium se sont avérés efficaces. L'IPA a démontré la possibilité d'utiliser des faisceaux atomiques de gallium et d'indium avec des substrats en or recouverts de thiol. À la fin du projet, des connaissances essentielles sur les mécanismes internes de la NAL assistée par une réserve ont été recueillies. En outre, la viabilité démontrée des métaux de groupe III présente une grande importance en raison de leur utilisation répandue dans des applications optiques, électroniques et de technologie de l'information.
