Progressi nella nanofabbricazione atomica
Nuove tecniche hanno permesso la fabbricazione a scala nanometrica piuttosto che micrometrica. La litografia atomica neutra (NAL, Neutral Atom Lithography) assistita da resist è una di queste tecniche di nanofabbricazione atomica (ANF). In confronto all'altra tecnica ANF comunemente usata, la deposizione diretta, la NAL assistita da resist non richiede fasci atomici ad alto dosaggio ed è compatibile con i metalli del gruppo III. Gli scienziati dell'IAP, l'istituto di Fisica applicata dell'Università di Bonn (Germania), hanno esaminato la possibilità di estendere la NAL assistita da resist da cesio e bario a gallio e indio. I tedeschi hanno usato uno strato monomolecolare autoassemblato (SAM, Self-Assembled Monolayer) per facilitare il trasferimento al sostrato sottostante della modellatura generata dal fascio atomico, modificata poi con maschere ottiche o meccaniche. Sono risultati efficaci i SAM formati sia da alcanotioli che da organosilicio. L'IAP ha dimostrato la fattibilità di fasci atomici di gallio o indio con sostrati d'oro ricoperti di tiolo. Alla conclusione del progetto, sono stati ottenuti importanti approfondimenti sui meccanismi interni del NAL assistito da resist. Inoltre è stato di grande utililità l'aver provato l'usabilità dei metalli del gruppo III, molto usati in applicazioni ottiche, elettroniche e di TI.
