Fortschritte in der atomaren Nanofabrikation
Durch neue Methoden können Herstellungsverfahren nicht nur im Mikrometer-, sondern auch im Nanometerbereich Anwendung finden. Die neutrale Atomlithografie (NAL) mit Leiterplattenschutzschicht ist eine solche Technik der Atom-Nanofabrikation (ANF). Im Vergleich zu der anderen geläufigen ANF-Methode, der Direktauftragung, erfordert die NAL mit Leiterplattenschutzschicht keine hoch dosierte atomare Bestrahlung und ist mit Metallen der Gruppe III kompatibel. Wissenschaftler am Institut für Angewandte Physik (IAP) der Universität Bonn haben die Möglichkeiten einer Ausweitung der NAL mit Leiterplattenschutzschicht von Cäsium und Barium auf Gallium und Indium untersucht. Die deutschen Forscher nutzten eine selbstorganisierende Monoschicht (SAM - Self-Assembled Monolayer), um den Transfer des durch den Atomstrahl erzeugten Musters auf das darunter liegende Substrat zu ermöglichen, das dann durch optische oder mechanische Masken verändert wird. SAMs, die entweder aus Alkanthiolen oder Organosilizium bestanden, erwiesen sich als wirksam. Am IAP wurde die Eignung der Atomstrahlen von Gallium und Indium bei von Thiol bedeckten Goldsubstraten belegt. Am Ende des Projekts hatte man gute Einblicke in die inneren Vorgänge der NAL mit Leiterplattenschutzschicht gewonnen. Zudem hat der Eignungsnachweis von Metallen der Gruppe III aufgrund ihrer verbreiteten Anwendung in optischen, elektronischen und IT-bezogenen Anwendungen große Bedeutung.
