Tecnologia avanzata dei dispositivi quantici
Il progetto QUDOS era incentrato sullo sviluppo di una solida tecnologia di dispositivi NDR (Negative-Differential Resistance) su un substrato su silicio. L'innovativa tecnologia è stata ampiamente elaborata in termini di producibilità, compatibilità con circuiterie in silicio e prestazioni di nuovi candidati quali i dispositivi resonant tunneling. I dispositivi resonant tunneling costituiscono i principali tipi di dispositivi a effetto quantico, dal momento che presentano diversi vantaggi. Funzionano normalmente a temperatura ambiente e con l'ausilio di un processo di integrazione offrono ampie possibilità dal punto di vista progettuale. Tali dispositivi sono gli RTD (Resonant Tunneling Diode), che possono essere progettati sulla base di modelli di calcolo di logica a soglia. Gli RDT sono costituiti da porte di soglia e non da porte booleane, quali AND, OR e simili, più comunemente utilizzate. Nonostante sia possibile realizzarle in maniera molto efficace, sono in grado di eseguire funzioni più complicate. Il lavoro del progetto si è basato sullo sviluppo di un nuovo modello di calcolo, MTTG (Multi-Threshold Threshold Gate), in grado di migliorare ulteriormente le funzionalità delle porte di soglia convenzionali. La topologia dei circuiti MTTG sviluppata è particolarmente indicata per l'implementazione con strutture di RTD mobili. È stato dimostrato che l'idoneo dimensionamento degli RTD può consentire la realizzazione di neuroni a doppio output. Inoltre, la topologia dei circuiti è stata estesa anche per l'implementazione di neuroni programmabili, e la metodologia è stata sfruttata per rendere più sistematica la progettazione di neuroni complessi con RTD. L'approccio dei circuiti MTTG si è rivelato utile, consentendo l'implementazione di pipeline di dimensioni nanometriche a livello di porta. Per ulteriori informazioni sul progetto, fare clic su: http://www.hlt.uni-duisburg.de/research/projekt_dokumente/qudos/qudos1.html
