Tecnología avanzada para dispositivos cuánticos
El proyecto QUDOS se dedicó a desarrollar una tecnología sólida para dispositivos de resistencia diferencial negativa (NDR) en un sustrato de silicio. Esta innovadora tecnología se desarrolló extensamente por lo que respecta a la capacidad de fabricación, a su compatibilidad con la circuitería de silicio y al rendimiento de candidatos nuevos como los dispositivos de túnel resonante. Los dispositivos de túnel resonante son uno de los tipos fundamentales de dispositivos de efecto cuántico, ya que presentan varias ventajas. Normalmente funcionan a temperatura ambiente y, con la ayuda de un proceso de integración, ofrecen una extensa variedad de opciones por lo que al diseño se refiere. Se trata de diodos túnel resonantes (RTD) y pueden diseñarse a partir de modelos computacionales de lógica umbral. Los RTD están construidos con puertas umbral, no con puertas booleanas más comunes como las AND, OR y similares. Aunque pueden construirse con gran eficiencia, son capaces de cumplir funciones más complicadas. El trabajo realizado por el proyecto se centró en crear un nuevo modelo computacional: las puertas umbral y multiumbral (MTTG) que pueden incrementar la funcionalidad de las puertas umbral convencionales. La topología de circuitos MTTG creada es idónea para su implementación en estructuras RTD móviles. Se demostró que el tamaño adecuado de RTD puede deparar neuronas de output doble. Además se extendió la topología del circuito a fin de conseguir neuronas programables y se empleó la metodología para hacer más sistemático el diseño de neuronas complejas con RTD. Se ha demostrado la utilidad del método de circuitos MTTG, que permite la implementación de nanocanalización a nivel de puerta. Para obtener más información sobre el proyecto, consulte: http://www.hlt.uni-duisburg.de/research/projekt_dokumente/qudos/qudos1.html
