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Rare Earth Oxide Atomic Layer Deposition for Innovation in Electronics

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Un salto cualitativo en la electrónica de consumo

La tendencia en la electrónica de consumo hacia dispositivos más pequeños y potentes requiere una mejora de la calidad tanto de los materiales como de los procesos empleados. El proyecto Realise aplicó elementos pertenecientes al grupo de las tierras raras con ese mismo objetivo.

Los progresos tecnológicos se suceden por lo general a un ritmo frenético, y el sector de los semiconductores es un ejemplo ilustrativo de ello. Pero para mantener la posición de Europa a la vanguardia de este importante sector se necesitan inversiones considerables en la investigación y el desarrollo correspondientes. El proyecto Realise («Deposición de capas atómicas de óxidos de tierras raras para la innovación en la electrónica») obtuvo fondos de la Unión Europea para desarrollar la técnica de deposición de capas atómicas (ALD). Su propósito consistía en utilizar esta técnica para obtener películas extremadamente delgadas (de orden nanométrico) de elementos de tierras raras sobre sustratos adecuados. Dichos elementos presentan la ventaja de tener una permitividad muy alta, una característica ciertamente rara en el campo de los semiconductores. Los experimentos realizados en el laboratorio permitieron en último término crear un prototipo con viabilidad comercial. El nuevo proceso se aplicó a continuación para producir una variedad de chips de memoria y condensadores. Los integrantes del consorcio Realise resultaron muy beneficiados de su participación en el proyecto. A escala local se desarrollaron conocimientos muy especializados, mientras que las innovaciones obtenidas quedaron protegidas bajo varias patentes y se difundieron a la comunidad científica mediante una serie de congresos y publicaciones.

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