Doskonalenie elementów technicznych w elektronicznych urządzeniach konsumenckich
Postęp technologiczny przeważnie pędzi w oszalałym tempie. Dotyczy to szczególnie przemysłu półprzewodników. Zachowanie czołowej pozycji Europy w tym ważnym sektorze wymaga znacznych inwestycji w powiązane z nią badania i rozwój. Projekt "Osadzanie warstw atomowych tlenków ziem rzadkich na rzecz innowacji w elektronice" uzyskał wsparcie finansowe z UE, by poczynić postępy w zakresie osadzania warstw atomowych (ALD). Jego założeniem było zastosowanie techniki ALD w celu stworzenia niezwykle cienkich – w skali nanometrycznej – błon z pierwiastków ziem rzadkich na odpowiednich podłożach. Pierwiastki ziem rzadkich charakteryzują się bardzo dużą przenikalnością elektryczną, co w dziedzinie półprzewodników jest rzeczywiście nieczęsto spotykaną właściwością. Udane eksperymenty laboratoryjne doprowadziły ostatecznie do stworzenia prototypu o potencjale komercyjnym. Nowy proces został następnie wykorzystany do produkcji różnych układów pamięci i kondensatorów. Członkowie konsorcjum Realise odnieśli znaczne korzyści z uczestnictwa w projekcie. Wiedzę poszerzano lokalnie, natomiast innowacje zostały objęte ochroną patentową, a społeczność naukowców zaangażowano w ramach licznych konferencji i publikacji.
