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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2024-05-29

Photonic Interconnect Layer on CMOS by Wafer-Scale Integration

Ziel

For future generation electronic circuits a severe bottleneck is expected on the global interconnect level. One of the most promising solutions is the use of an optical interconnect layer. Therefore, PICMOS will demonstrate the feasibility of adding a photonic interconnect layer on top of silicon ICs. This interconnect layer will be fabricated by a combination of wafer bonding and wafer-scale processing steps. It will be planar and will be built from a high-density passive optical wiring circuit integrated with InP-based sources and detectors using a wafer bonding approach.

Two different integration strategies will be investigated: a wafer-to-wafer bond technology where the photonic interconnect layer is fabricated in parallel with the electronic circuits wafer and where both wafers are subsequently bonded together and an above-IC approach where the interconnect layer is fabricated directly on top of the electronic circuits. For the first approach, SOI-waveguides allowing for very high-density wiring will be developed. For the above-IC approach, an innovative type of high-contrast polymer waveguides compatible with CMOS back-end processing will be developed. Both types of waveguides will be fabricated using standard CMOS-processing techniques.

The III-V epi material for the active photonic devices will be bonded on top of the waveguide circuits and the substrate will be removed. The active devices will be defined in the remaining membrane. In all fabrication steps, only waferscale technologies will be employed with the only exception made for the bonding of the III-V semiconductor material. Because of the large size difference between silicon and InP wafers and the limited space occupied by the active photonic devices, a rapid die-to-wafer bonding step will be developed for this step. In parallel with the technological oriented work, system studies will define application domains for PICMOS and generic parameter specifications for all subcomponents.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

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Schlüsselbegriffe

Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

STREP - Specific Targeted Research Project

Koordinator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Kapeldreef 75
3001 LEUVEN
Belgien

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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (8)

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