Objetivo With the advent of nanometric devices, the relevance of leakage power has grown tremendously. All technology roadmaps, as well as the results from advanced semiconductor labs indicate leakage as the real showstopper for the future generations of nanoelectronic circuits if proper counter-measures will not be taken. To be successful, and thus leading to the capability of fabricating chips with sub-65nm technologies, such counter-measures must be rooted in the design domain, as process improvement will not be sufficient to cope with the increased leakage currents in MOSFETs. In other terms, time has come for considering leakage reduction also a design problem, and not only a technology problem.CLEAN will contribute in a decisive way to the solution of the problem of controlling leakage currents in CMOS designs below 65nm, which is of strategic importance in the ASIC and SoC design landscape. The RandD effort will crystallize around the development of new leakage models for nanometric technologies usable at different levels of abstraction, from device to behavioral, innovative circuit and architectural solutions for efficient leakage management, novel methods and prototype EDA tools for automatic leakage minimization. Such methods and tools will be integrated into commercial EDA frameworks, thus providing comprehensive solutions for power-driven design.The CLEAN Consortium features the right mix of competence (semiconductor vendors, EDA vendors, research institutes) and the appropriate mobilization of resources to guarantee the successful achievement of all the project objectives. Tight links to on-going European projects targeting advanced silicon technology development (e.g. the NanoCMOS IP and its possible successor, PullNano) will guarantee synergy and convergence of objectives, towards the establishment of design capabilities that will be key for consolidating and growing the European competitiveness in the nanoelectronics business of the future. Ámbito científico natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivitynatural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloidsengineering and technologynanotechnologynanoelectronics Programa(s) FP6-IST - Information Society Technologies: thematic priority under the specific programme "Integrating and strengthening the European research area" (2002-2006). Tema(s) IST-2004-2.4.1 - Nanoelectronics Convocatoria de propuestas Data not available Régimen de financiación IP - Integrated Project Coordinador STMICROELECTRONICS SRL Aportación de la UE Sin datos Dirección VIA OLIVETTI 2 20041 AGRATE BRIANZA Italia Ver en el mapa Coste total Sin datos Participantes (13) Ordenar alfabéticamente Ordenar por aportación de la UE Ampliar todo Contraer todo BUDAPESTI MUSZAKI ES GAZDASAGTUDOMANYI EGYETEM Hungría Aportación de la UE Sin datos Dirección MUEGYETEM RAKPART 3 1111 BUDAPEST Ver en el mapa Coste total Sin datos BULLDAST S.R.L. Italia Aportación de la UE Sin datos Dirección VIA SFORZESCA 3 10100 TORINO Ver en el mapa Coste total Sin datos CHIPVISION DESIGN SYSTEMS AG Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección FRITZ BOCK STRASSE 5 26121 OLDENBURG Ver en el mapa Coste total Sin datos COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE Francia Aportación de la UE Sin datos Dirección BATIMENT LE PONANT D, 25 RUE LEBLANC 75015 PARIS CEDEX 15 Ver en el mapa Coste total Sin datos CONSORZIO PER LA RICERCA E L'EDUCAZIONE PERMANENTE, TORINO Italia Aportación de la UE Sin datos Dirección CORSO DUCA DEGLI ABRUZZI 24 10129 TORINO Ver en el mapa Coste total Sin datos DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET Dinamarca Aportación de la UE Sin datos Dirección ANKER ENGELUNDSVEJ 1, BYGNING 101A 2800 KGS. LYNGBY Ver en el mapa Coste total Sin datos EDACENTRUM GMBH Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección SCHNEIDERBERG 32 30167 HANNOVER Ver en el mapa Coste total Sin datos INFINEON TECHNOLOGIES AG Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección 81726 MUENCHEN Ver en el mapa Coste total Sin datos OFFIS EV Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección ESCHERWEG 2 000 OLDENBURG Ver en el mapa Enlaces Sitio web Opens in new window Coste total Sin datos POLITECHNIKA WARSZAWSKA Polonia Aportación de la UE Sin datos Dirección PLAC POLITECHNIKI 1 WARSZAWA Ver en el mapa Enlaces Sitio web Opens in new window Coste total Sin datos POLITECNICO DI TORINO Aportación de la UE Sin datos Dirección Ver en el mapa Enlaces Sitio web Opens in new window Coste total Sin datos STMICROELECTRONICS SA Francia Aportación de la UE Sin datos Dirección 29 BOULEVARD ROMAIN ROLLAND 92120 MONTROUGE Ver en el mapa Coste total Sin datos UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA Aportación de la UE Sin datos Dirección Ver en el mapa Enlaces Sitio web Opens in new window Coste total Sin datos