Objectif With the advent of nanometric devices, the relevance of leakage power has grown tremendously. All technology roadmaps, as well as the results from advanced semiconductor labs indicate leakage as the real showstopper for the future generations of nanoelectronic circuits if proper counter-measures will not be taken. To be successful, and thus leading to the capability of fabricating chips with sub-65nm technologies, such counter-measures must be rooted in the design domain, as process improvement will not be sufficient to cope with the increased leakage currents in MOSFETs. In other terms, time has come for considering leakage reduction also a design problem, and not only a technology problem.CLEAN will contribute in a decisive way to the solution of the problem of controlling leakage currents in CMOS designs below 65nm, which is of strategic importance in the ASIC and SoC design landscape. The RandD effort will crystallize around the development of new leakage models for nanometric technologies usable at different levels of abstraction, from device to behavioral, innovative circuit and architectural solutions for efficient leakage management, novel methods and prototype EDA tools for automatic leakage minimization. Such methods and tools will be integrated into commercial EDA frameworks, thus providing comprehensive solutions for power-driven design.The CLEAN Consortium features the right mix of competence (semiconductor vendors, EDA vendors, research institutes) and the appropriate mobilization of resources to guarantee the successful achievement of all the project objectives. Tight links to on-going European projects targeting advanced silicon technology development (e.g. the NanoCMOS IP and its possible successor, PullNano) will guarantee synergy and convergence of objectives, towards the establishment of design capabilities that will be key for consolidating and growing the European competitiveness in the nanoelectronics business of the future. Champ scientifique natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivitynatural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloidsengineering and technologynanotechnologynanoelectronics Programme(s) FP6-IST - Information Society Technologies: thematic priority under the specific programme "Integrating and strengthening the European research area" (2002-2006). Thème(s) IST-2004-2.4.1 - Nanoelectronics Appel à propositions Data not available Régime de financement IP - Integrated Project Coordinateur STMICROELECTRONICS SRL Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse VIA OLIVETTI 2 20041 AGRATE BRIANZA Italie Voir sur la carte Coût total Aucune donnée Participants (13) Trier par ordre alphabétique Trier par contribution de l’UE Tout développer Tout réduire BUDAPESTI MUSZAKI ES GAZDASAGTUDOMANYI EGYETEM Hongrie Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse MUEGYETEM RAKPART 3 1111 BUDAPEST Voir sur la carte Coût total Aucune donnée BULLDAST S.R.L. Italie Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse VIA SFORZESCA 3 10100 TORINO Voir sur la carte Coût total Aucune donnée CHIPVISION DESIGN SYSTEMS AG Allemagne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse FRITZ BOCK STRASSE 5 26121 OLDENBURG Voir sur la carte Coût total Aucune donnée COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE France Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse BATIMENT LE PONANT D, 25 RUE LEBLANC 75015 PARIS CEDEX 15 Voir sur la carte Coût total Aucune donnée CONSORZIO PER LA RICERCA E L'EDUCAZIONE PERMANENTE, TORINO Italie Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse CORSO DUCA DEGLI ABRUZZI 24 10129 TORINO Voir sur la carte Coût total Aucune donnée DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET Danemark Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse ANKER ENGELUNDSVEJ 1, BYGNING 101A 2800 KGS. LYNGBY Voir sur la carte Coût total Aucune donnée EDACENTRUM GMBH Allemagne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse SCHNEIDERBERG 32 30167 HANNOVER Voir sur la carte Coût total Aucune donnée INFINEON TECHNOLOGIES AG Allemagne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse 81726 MUENCHEN Voir sur la carte Coût total Aucune donnée OFFIS EV Allemagne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse ESCHERWEG 2 000 OLDENBURG Voir sur la carte Liens Site web Opens in new window Coût total Aucune donnée POLITECHNIKA WARSZAWSKA Pologne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse PLAC POLITECHNIKI 1 WARSZAWA Voir sur la carte Liens Site web Opens in new window Coût total Aucune donnée POLITECNICO DI TORINO Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse Voir sur la carte Liens Site web Opens in new window Coût total Aucune donnée STMICROELECTRONICS SA France Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse 29 BOULEVARD ROMAIN ROLLAND 92120 MONTROUGE Voir sur la carte Coût total Aucune donnée UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse Voir sur la carte Liens Site web Opens in new window Coût total Aucune donnée