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Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

Description du projet

Une technologie de transistor de puissance haute performance à faible coût

Le silicium a été le cheval de bataille de la technologie des transistors de puissance, et il reste un leader rentable pour de nombreuses applications dans toutes les plages de tension. Cependant, ses propriétés matérielles inhérentes deviennent un obstacle pour les exigences actuelles en matière de densités de puissance accrues et de rendements plus élevés, en particulier dans les domaines à croissance rapide des véhicules électriques, des énergies renouvelables et des centres de données. Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) sont susceptibles de surmonter ces limitations. Le projet YESvGaN, financé par l’UE, développe une technologie WBG innovante utilisant des transistors verticaux au nitrure de gallium sur des substrats à faible coût comme le silicium, qui allieront performances améliorées et faible coût.

Objectif

YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.

Coordinateur

ROBERT BOSCH GMBH
Contribution nette de l'UE
€ 611 629,06
Adresse
ROBERT-BOSCH-PLATZ 1
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Allemagne

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Région
Baden-Württemberg Stuttgart Ludwigsburg
Type d’activité
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Liens
Coût total
€ 2 446 516,25

Participants (27)