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Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

Descrizione del progetto

Tecnologia dei transistor di potenza ad alte prestazioni e basso costo

Il silicio è stato il cavallo di battaglia della tecnologia dei transistor di potenza e rimane tra le soluzioni più economiche per molte applicazioni in tutte le gamme di tensione. Tuttavia, le proprietà intrinseche del materiale stanno diventando una barriera per le attuali richieste di maggiori densità di potenza e maggiori efficienze, in particolare nelle aree in rapida crescita dei veicoli elettrici, dell’energia rinnovabile e dei centri di elaborazione dati. I materiali semiconduttori ad ampia banda proibita possono superare queste limitazioni. Il progetto YESvGaN, finanziato dall’UE, sta sviluppando un’innovativa tecnologia ad ampia banda proibita che utilizza transistor verticali di nitruro di gallio su substrati a basso costo come il silicio, che unirà prestazioni migliorate a costi ridotti.

Obiettivo

YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.

Meccanismo di finanziamento

RIA - Research and Innovation action

Coordinatore

ROBERT BOSCH GMBH
Contribution nette de l'UE
€ 611 629,06
Indirizzo
ROBERT-BOSCH-PLATZ 1
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Germania

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Regione
Baden-Württemberg Stuttgart Ludwigsburg
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale
€ 2 446 516,25

Partecipanti (27)