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Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

Projektbeschreibung

Starke Leistungstransistor-Technologie, die Kosten spart

Silizium war bislang das Arbeitspferd der Leistungstransistor-Technologie und stellt nach wie vor für viele Anwendungen in allen Spannungsbereichen ein kostengünstiges Spitzenprodukt dar. Seine inhärenten Materialeigenschaften erweisen sich jedoch als Hindernis für die heutigen Anforderungen an höhere Leistungsdichten und Wirkungsgrade, insbesondere in den schnell wachsenden Bereichen der Elektrofahrzeuge, der erneuerbaren Energien und der Datenzentren. Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke sind in der Lage, diese Beschränkungen zu überwinden. Im Rahmen des EU-finanzierten Projekts YESvGaN wird eine innovative Technologie mit breiter Bandlücke entwickelt, bei der vertikale Galliumnitrid-Transistoren auf kostengünstigen Substraten wie Silizium eingesetzt werden, wodurch eine verbesserte Leistung mit niedrigen Kosten verbunden werden kann.

Ziel

YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.

Koordinator

ROBERT BOSCH GMBH
Netto-EU-Beitrag
€ 611 629,06
Adresse
ROBERT-BOSCH-PLATZ 1
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Deutschland

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Region
Baden-Württemberg Stuttgart Ludwigsburg
Aktivitätstyp
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
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Gesamtkosten
€ 2 446 516,25

Beteiligte (27)