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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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GaN for Advanced Power Applications

Descripción del proyecto

El GaN podría impulsar la próxima generación de electrónica de potencia

El nitruro de galio (GaN) es un material con banda prohibida ancha que podría llevar el rendimiento electrónico al siguiente nivel. El uso generalizado de dispositivos basados en GaN permitirá el desarrollo de sistemas electrónicos de potencia con una pérdida de energía prácticamente nula, además de un volumen, peso y coste de sistemas inferiores. El proyecto GaN4AP, financiado con fondos europeos, convertirá la electrónica basada en GaN en la principal tecnología en dispositivos para todos los sistemas de conversión de potencia. El proyecto se centrará en materiales y sistemas electrónicos de potencia innovadores, y en una nueva generación de dispositivos de potencia verticales. Se propone desarrollar soluciones de GaN integradas e inteligentes, tanto en variantes monolíticas como de sistemas en paquete. El desarrollo de nuevos circuitos y dispositivos de alimentación de potencia con electrónica basada en GaN resulta crucial para la competitividad de las industrias de la Unión Europea.

Objetivo

GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo.
La clasificación de este proyecto ha sido validada por su equipo.

Palabras clave

Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

IA - Innovation action

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) H2020-ECSEL-2020-1-IA-two-stage

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Coordinador

DISTRETTO TECNOLOGICO SICILIA MICROE NANO SISTEMI SCARL
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 157 500,00
Dirección
ZONA INDUSTRIALE VIII STRADA SN
95121 Catania
Italia

Ver en el mapa

Región
Isole Sicilia Catania
Tipo de actividad
Research Organisations
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

€ 4 350 000,00

Participantes (43)

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