Descripción del proyecto
El GaN podría impulsar la próxima generación de electrónica de potencia
El nitruro de galio (GaN) es un material con banda prohibida ancha que podría llevar el rendimiento electrónico al siguiente nivel. El uso generalizado de dispositivos basados en GaN permitirá el desarrollo de sistemas electrónicos de potencia con una pérdida de energía prácticamente nula, además de un volumen, peso y coste de sistemas inferiores. El proyecto GaN4AP, financiado con fondos europeos, convertirá la electrónica basada en GaN en la principal tecnología en dispositivos para todos los sistemas de conversión de potencia. El proyecto se centrará en materiales y sistemas electrónicos de potencia innovadores, y en una nueva generación de dispositivos de potencia verticales. Se propone desarrollar soluciones de GaN integradas e inteligentes, tanto en variantes monolíticas como de sistemas en paquete. El desarrollo de nuevos circuitos y dispositivos de alimentación de potencia con electrónica basada en GaN resulta crucial para la competitividad de las industrias de la Unión Europea.
Objetivo
GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.
Ámbito científico
Palabras clave
Programa(s)
Tema(s)
Convocatoria de propuestas
H2020-ECSEL-2020-1-IA-two-stage
Consulte otros proyectos de esta convocatoriaRégimen de financiación
IA - Innovation actionCoordinador
95121 Catania
Italia
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Participantes (45)
Entidad jurídica distinta de un subcontratista que está afiliada o vinculada jurídicamente con un participante. Dicha entidad lleva a cabo su trabajo en las condiciones establecidas en el acuerdo de subvención, proporciona bienes o presta servicios para la acción, pero no firma dicho acuerdo. El tercero acata las normas aplicables a su participante en virtud del acuerdo de subvención en lo que respecta a la subvencionalidad de los costes y el control de los gastos.
95131 Catania
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Entidad jurídica distinta de un subcontratista que está afiliada o vinculada jurídicamente con un participante. Dicha entidad lleva a cabo su trabajo en las condiciones establecidas en el acuerdo de subvención, proporciona bienes o presta servicios para la acción, pero no firma dicho acuerdo. El tercero acata las normas aplicables a su participante en virtud del acuerdo de subvención en lo que respecta a la subvencionalidad de los costes y el control de los gastos.
98122 Messina
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90133 Palermo
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00185 Roma
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40125 Bologna
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35122 Padova
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40126 Bologna
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41121 Modena
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87036 Arcavacata Di Rende
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80992 MUNCHEN
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20871 Vimercate
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52134 Herzogenrath
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La participación finalizó
65000 Tarbes
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
01189 Dresden
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
75015 PARIS 15
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75794 Paris
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35041 Marburg
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
02015 Rieti
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
La participación finalizó
22030 Orsenigo
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La participación finalizó
00191 Roma
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09599 Freiberg
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41122 Modena
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97070 Wurzburg
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85737 Ismaning
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
01142 Warszawa
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150 00 PRAHA 5
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30167 Hannover
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80143 Napoli
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
5656AG Eindhoven
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97828 Marktheidenfeld
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92500 Rueil Malmaison
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01109 Dresden
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
186 00 Praha
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20864 Agrate Brianza
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13790 Rousset
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37100 Tours
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25032 Chiari Bs
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Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.
5612 AE Eindhoven
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160 00 Praha
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37020 Tours
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95800 Cergy
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91056 Erlangen
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95800 Cergy
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74638 Waldenburg
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00154 ROMA
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