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GaN for Advanced Power Applications

Descripción del proyecto

El GaN podría impulsar la próxima generación de electrónica de potencia

El nitruro de galio (GaN) es un material con banda prohibida ancha que podría llevar el rendimiento electrónico al siguiente nivel. El uso generalizado de dispositivos basados en GaN permitirá el desarrollo de sistemas electrónicos de potencia con una pérdida de energía prácticamente nula, además de un volumen, peso y coste de sistemas inferiores. El proyecto GaN4AP, financiado con fondos europeos, convertirá la electrónica basada en GaN en la principal tecnología en dispositivos para todos los sistemas de conversión de potencia. El proyecto se centrará en materiales y sistemas electrónicos de potencia innovadores, y en una nueva generación de dispositivos de potencia verticales. Se propone desarrollar soluciones de GaN integradas e inteligentes, tanto en variantes monolíticas como de sistemas en paquete. El desarrollo de nuevos circuitos y dispositivos de alimentación de potencia con electrónica basada en GaN resulta crucial para la competitividad de las industrias de la Unión Europea.

Objetivo

GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.

Régimen de financiación

IA - Innovation action

Coordinador

DISTRETTO TECNOLOGICO SICILIA MICROE NANO SISTEMI SCARL
Aportación neta de la UEn
€ 157 500,00
Dirección
ZONA INDUSTRIALE VIII STRADA SN
95121 Catania
Italia

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Región
Isole Sicilia Catania
Tipo de actividad
Research Organisations
Enlaces
Coste total
€ 4 350 000,00

Participantes (45)