European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

GaN for Advanced Power Applications

Opis projektu

GaN może stać się podstawą układów energoelektronicznych następnej generacji

Azotek galu (GaN) to materiał o szerokim paśmie wzbronionym, który może radykalnie poprawić osiągi układów elektronicznych. Powszechne stosowanie urządzeń opartych na GaN umożliwi opracowanie układów energoelektronicznych o niemal zerowych stratach energii, a także o niższym stosunku objętości do masy i koszcie. Finansowany przez UE projekt GaN4AP zakłada uczynienie z elektroniki opartej na GaN podstawowej technologii dla urządzeń we wszystkich systemach przetwarzania energii. Celem projektu jest opracowanie innowacyjnych układów i materiałów energoelektronicznych oraz nowej generacji wertykalnych urządzeń zasilających. Zespół chce opracować inteligentne i zintegrowane rozwiązania z GaN zarówno w konfiguracji system-in-package, jak i układzie monolitycznym. Opracowanie nowych urządzeń i obwodów zasilających wykorzystujących elektronikę opartą na GaN ma kluczowe znaczenie dla konkurencyjności unijnych gałęzi przemysłu.

Cel

GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.

System finansowania

IA - Innovation action

Koordynator

DISTRETTO TECNOLOGICO SICILIA MICROE NANO SISTEMI SCARL
Wkład UE netto
€ 157 500,00
Adres
ZONA INDUSTRIALE VIII STRADA SN
95121 Catania
Włochy

Zobacz na mapie

Region
Isole Sicilia Catania
Rodzaj działalności
Research Organisations
Linki
Koszt całkowity
€ 4 300 000,00

Uczestnicy (45)