Descrizione del progetto
Il nitruro di gallio potrebbe trainare l’elettronica di potenza di prossima generazione
Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale ad ampia banda proibita che potrebbe portare le prestazioni elettroniche ad un livello superiore. L’uso pervasivo di dispositivi basati su GaN permetterà di sviluppare sistemi elettronici di potenza con perdite di energia vicine allo zero oltre a volume/peso e costi di sistema inferiori. Il progetto GaN4AP, finanziato dall’UE, si propone di rendere l’elettronica basata su GaN la tecnologia primaria nei dispositivi utilizzati nei sistemi di conversione di potenza. Il progetto punta a realizzare sistemi e materiali elettronici di potenza innovativi e una nuova generazione di dispositivi di potenza verticali. Prevede di sviluppare soluzioni GaN intelligenti e integrate sia in varianti system-in-package che monolitiche. Lo sviluppo di nuovi dispositivi e circuiti di alimentazione usando l’elettronica basata su GaN è cruciale per la competitività delle industrie dell’UE.
Obiettivo
GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.
Campo scientifico
Parole chiave
Programma(i)
Argomento(i)
Meccanismo di finanziamento
IA - Innovation actionCoordinatore
95121 Catania
Italia
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Partecipanti (45)
Soggetto giuridico diverso da un subappaltatore che è affiliato o legalmente collegato a un partecipante. Il soggetto svolge le attività secondo le condizioni stabilite nell’accordo di sovvenzione, fornisce beni o servizi per l’azione, ma non ha sottoscritto l’accordo di sovvenzione. Una terza parte rispetta le regole applicabili al suo partecipante correlato ai sensi dell’accordo di sovvenzione per quanto riguarda l’ammissibilità dei costi e il controllo delle spese.
95131 Catania
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Soggetto giuridico diverso da un subappaltatore che è affiliato o legalmente collegato a un partecipante. Il soggetto svolge le attività secondo le condizioni stabilite nell’accordo di sovvenzione, fornisce beni o servizi per l’azione, ma non ha sottoscritto l’accordo di sovvenzione. Una terza parte rispetta le regole applicabili al suo partecipante correlato ai sensi dell’accordo di sovvenzione per quanto riguarda l’ammissibilità dei costi e il controllo delle spese.
98122 Messina
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90133 Palermo
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00185 Roma
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40125 Bologna
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35122 Padova
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40126 Bologna
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41121 Modena
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87036 Arcavacata Di Rende
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80992 MUNCHEN
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20871 Vimercate
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52134 Herzogenrath
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Partecipazione conclusa
65000 Tarbes
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
01189 Dresden
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
75015 PARIS 15
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75794 Paris
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35041 Marburg
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
02015 Rieti
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
Partecipazione conclusa
22030 Orsenigo
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Partecipazione conclusa
00191 Roma
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09599 Freiberg
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41122 Modena
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97070 Wurzburg
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85737 Ismaning
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
01142 Warszawa
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150 00 PRAHA 5
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30167 Hannover
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80143 Napoli
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
5656AG Eindhoven
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97828 Marktheidenfeld
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92500 Rueil Malmaison
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01109 Dresden
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
186 00 Praha
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20864 Agrate Brianza
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13790 Rousset
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37100 Tours
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25032 Chiari Bs
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L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
5612 AE Eindhoven
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160 00 Praha
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37020 Tours
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95800 Cergy
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91056 Erlangen
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95800 Cergy
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74638 Waldenburg
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00154 ROMA
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