European Commission logo
italiano italiano
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS

GaN for Advanced Power Applications

Descrizione del progetto

Il nitruro di gallio potrebbe trainare l’elettronica di potenza di prossima generazione

Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale ad ampia banda proibita che potrebbe portare le prestazioni elettroniche ad un livello superiore. L’uso pervasivo di dispositivi basati su GaN permetterà di sviluppare sistemi elettronici di potenza con perdite di energia vicine allo zero oltre a volume/peso e costi di sistema inferiori. Il progetto GaN4AP, finanziato dall’UE, si propone di rendere l’elettronica basata su GaN la tecnologia primaria nei dispositivi utilizzati nei sistemi di conversione di potenza. Il progetto punta a realizzare sistemi e materiali elettronici di potenza innovativi e una nuova generazione di dispositivi di potenza verticali. Prevede di sviluppare soluzioni GaN intelligenti e integrate sia in varianti system-in-package che monolitiche. Lo sviluppo di nuovi dispositivi e circuiti di alimentazione usando l’elettronica basata su GaN è cruciale per la competitività delle industrie dell’UE.

Obiettivo

GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.

Meccanismo di finanziamento

IA - Innovation action

Coordinatore

DISTRETTO TECNOLOGICO SICILIA MICROE NANO SISTEMI SCARL
Contribution nette de l'UE
€ 157 500,00
Indirizzo
ZONA INDUSTRIALE VIII STRADA SN
95121 Catania
Italia

Mostra sulla mappa

Regione
Isole Sicilia Catania
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale
€ 4 300 000,00

Partecipanti (45)