Description du projet
Le GaN pourrait bien piloter l’électronique de puissance de nouvelle génération
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau à large bande interdite susceptible de faire passer les performances électroniques à un niveau supérieur. L’utilisation généralisée de dispositifs à base de GaN permettra de développer des systèmes électroniques de puissance avec des pertes d’énergie proches de zéro, en plus de réduire le rapport volume/poids et le coût. Le projet GaN4AP, financé par l’UE, prévoit de faire de l’électronique à base de GaN la principale technologie des dispositifs pour tous les systèmes de conversion de puissance. Le projet cible les systèmes et matériaux électroniques de puissance innovants, ainsi qu’une nouvelle génération de dispositifs de puissance verticaux. Il prévoit de développer des solutions GaN intelligentes et intégrées à la fois dans les variantes système en boîtier et monolithiques. Le développement de nouveaux dispositifs et circuits d’alimentation électrique utilisant l’électronique à base de GaN est crucial pour la compétitivité des industries de l’UE.
Objectif
GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss power electronic systems.
GaN4AP project will…
1. Develop innovative Power Electronic Systems for power conversion and management with advanced architecture and circuit topology based on state of the art GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) available in a new concept high-frequency packages that can achieve the requested 99% power conversion efficiency.
2. Develop an innovative material (Aluminium Scandium Nitride, AlScN) that combined with advanced growth and process solutions can provide outstanding physical properties for highly efficient power transistors. Therefore, a new HEMT device architecture will be fabricated with much higher current (2x) and power density (2x) than existing transistors.
3. Develop a new generation of vertical power GaN-based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V. We will cover all the production chain from the device design, processing and characterization up to tests in low inductance half bridge power modules and their implementation in high speed power switching systems.
4. Develop a new intelligent and integrated GaN solutions (STi2GaN) both in System in Package (SiP) and Monolithic variances, that will allow the generation of E-Mobility power converters. The projects will focus on scalable concept for 48V-12V bidirectional Buck Boost converters for conventional and ADAS applications combining, in a novel wire-bond free package, a state of the art BCD driver & controller along with a common substrate Monolithic 100V e-GaN Half Bridge.
The development of new device technologies and innovative power circuits, employing the GaN-based devices is a crucial factor for the world-wide competitiveness of EU industries.
Champ scientifique
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN.
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Mots‑clés
Programme(s)
Thème(s)
Régime de financement
IA - Innovation actionCoordinateur
95121 Catania
Italie
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Participants (41)
Entité juridique autre qu’un sous-traitant qui est affiliée ou juridiquement liée à un participant. L’entité réalise des travaux dans les conditions prévues par la convention de subvention, fournit des biens ou des services pour l’action, mais n’a pas signé la convention de subvention. Le tiers respecte les règles applicables au participant qui lui est lié dans le cadre de la convention de subvention en ce qui concerne l’éligibilité des coûts et le contrôle des dépenses.
95131 Catania
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98122 Messina
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90133 Palermo
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00185 Roma
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40125 Bologna
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35122 Padova
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40126 Bologna
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41121 Modena
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87036 Arcavacata Di Rende
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80992 MUNCHEN
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20871 Vimercate
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52134 Herzogenrath
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01189 Dresden
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L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.
75015 PARIS 15
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75794 Paris
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35041 Marburg
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02015 Rieti
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09599 Freiberg
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41122 Modena
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97070 Wurzburg
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85737 Ismaning
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01142 Warszawa
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150 00 PRAHA 5
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30167 Hannover
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80143 Napoli
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5656AG Eindhoven
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97828 Marktheidenfeld
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92500 Rueil Malmaison
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01109 Dresden
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186 00 Praha
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20864 Agrate Brianza
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13790 Rousset
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37100 Tours
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25032 Chiari Bs
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5612 AE Eindhoven
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160 00 Praha
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37020 Tours
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95800 CERGY
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91056 Erlangen
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74638 Waldenburg
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00154 ROMA
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