GaN for Advanced Power Applications

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Publications

The material of the future

Auteurs: L. Liggio
Publié dans: Platinum, Numéro March 2022, 2022, Page(s) 107
Éditeur: PUBLISCOOP Editore

Structural and Insulating Behaviour of High-Permittivity Binary Oxide Thin Films for Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Auteurs: R. Lo Nigro, P. Fiorenza, G. Greco, E. Schilirò, F. Roccaforte
Publié dans: Materials, Numéro 15, 2022, Page(s) 830, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma15030830

Ion Implantation Doping in Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Auteurs: F. Roccaforte, F. Giannazzo, F. Greco
Publié dans: Micro, Numéro 2, 2022, Page(s) 23-53, ISSN 2673-8023
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/micro2010002

On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally Grown GaN

Auteurs: K. Grabianska, R. Kucharski, T. Sochacki, J.L. Weyher, M. Iwinska, I. Grzegory, M. Bockowski
Publié dans: Crystals, Numéro 12, 2022, Page(s) 554, ISSN 2073-4352
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst12040554

Recent progress in crystal growth of bulk GaN

Auteurs: M. Bockowski, I. Grzegory
Publié dans: Acta Physica Polonica A, Numéro 141 (3), 2022, Page(s) 167-174, ISSN 0587-4246
Éditeur: Polska Akademia Nauk
DOI: 10.12693/aphyspola.141.167

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