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GaN for Advanced Power Applications

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Websites, patent fillings, videos etc. (2)
D8.1.1 - Website (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Project website including objectives WPs description participants

D1.1.2 - Project website (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

This is the realization of the Project website for the presentation of the project with the private area to work as a tool for sharing info and documents among the partners

Publications

Peer reviewed articles (24)
Using Triangular Gate Voltage Pulses to Evaluate Hysteresis and Charge Trapping Effects in GaN on Si HEMTs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Pasquale Cusumano, Flavio Vella, Alessandro Sirchia
Publié dans: Electronics, Numéro 14, 2025, Page(s) 1991, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronics14101991

CFD-Based Optimization of the Growth Zone in an Industrial Ammonothermal GaN Autoclave for Uniform Flow and Temperature Fields (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Marek Zak, Pawel Kempisty, Boleslaw Lucznik, Robert Kucharski, Michal Bockowski
Publié dans: Crystals, Numéro 15, 2025, Page(s) 754, ISSN 2073-4352
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst15090754

Alloy distribution and compositional metrology of epitaxial ScAlN by atom probe tomography (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Samba Ndiaye, Caroline Elias, Aïssatou Diagne, Hélène Rotella, Frédéric Georgi, Maxime Hugues, Yvon Cordier, François Vurpillot, Lorenzo Rigutti
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 123, 2023, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0167855

Comparing post-deposition and post-metallization annealing treatments on Al2O3/GaN capacitors for different metal gates (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Emanuela Schilirò, Giuseppe Greco, Patrick Fiorenza, Salvatore Ethan Panasci, Salvatore Di Franco, Yvon Cordier, Eric Frayssinet, Raffaella Lo Nigro, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: AIP Advances, Numéro 14, 2025, ISSN 2158-3226
Éditeur: American Institute of Physics Inc.
DOI: 10.1063/5.0228323

Europium diffusion in ammonothermal gallium nitride (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: A. Jaroszynska, E. Grzanka, M. Grabowski, G. Staszczak, I. Prozheev, R. Jakiela, F. Tuomisto, M. Bockowski
Publié dans: Applied Surface Science, Numéro 625, 2024, Page(s) 157188, ISSN 0169-4332
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.157188

ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, Nicolas De France, Jean-Claude De Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq
Publié dans: Applied Physics Express, Numéro 18, 2025, Page(s) 046501, ISSN 1882-0778
Éditeur: Japan Soc of Applied Physics
DOI: 10.35848/1882-0786/adc5db

Evaluation of GaN Transistors for Grid-Connected 3-Level T-Type Inverters (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Julian Endres, Tobias Haas, Alexander Pawellek, Vinicius Kremer, Roger Franchino
Publié dans: Electronics, Numéro 14, 2025, Page(s) 2935, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronics14152935

A GaN-Integrated Galvanically Isolated Data Link Based on RF Planar Coupling With Voltage Combining for Gate-Driver Applications (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Simone Spataro, Egidio Ragonese, Nunzio Spina, Giuseppe Palmisano
Publié dans: IEEE Access, Numéro 12, 2024, Page(s) 48530-48539, ISSN 2169-3536
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2024.3383535

Electron effective masses of Sc<i>x</i>Al1−<i>x</i>N and Al<i>x</i>Ga1−<i>x</i>N from first-principles calculations of unfolded band structure (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Luigi Balestra, Elena Gnani, Susanna Reggiani
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 132, 2025, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0115512

Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: G. Greco, P. Fiorenza, F. Giannazzo, M. Vivona, C. Venuto, F. Iucolano, F. Roccaforte
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro 45, 2024, Page(s) 1724-1727, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3438807

Fundamental Studies on Crystallization and Reaching the Equilibrium Shape in Basic Ammonothermal Method: Growth on a Native Lenticular Seed (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Tomasz Sochacki, Robert Kucharski, Karolina Grabianska, Jan L. Weyher, Malgorzata Iwinska, Michal Bockowski, Lutz Kirste
Publié dans: Materials, Numéro 15, 2025, Page(s) 4621, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma15134621

Evaluation of Dynamic On-Resistance and Trapping Effects in GaN on Si HEMTs Using Rectangular Gate Voltage Pulses (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Pasquale Cusumano, Alessandro Sirchia, Flavio Vella
Publié dans: Electronics, Numéro 14, 2025, Page(s) 2791, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronics14142791

Structural and Insulating Behaviour of High-Permittivity Binary Oxide Thin Films for Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: R. Lo Nigro, P. Fiorenza, G. Greco, E. Schilirò, F. Roccaforte
Publié dans: Materials, Numéro 15, 2022, Page(s) 830, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma15030830

Atomic Resolution Interface Structure and Vertical Current Injection in Highly Uniform Mos2 Heterojunctions with Bulk Gan (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Filippo Giannazzo, Salvatore Ethan Panasci, Emanuela Schilirò, Giuseppe Greco, Fabrizio Roccaforte, Gianfranco Sfuncia, Giuseppe Nicotra, Marco Cannas, Simonpietro Agnello, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Adrien Michon, Antal Koos, Bela Pecz
Publié dans: Applied Surface Science, 2023, ISSN 0169-4332
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.2139/ssrn.4359307

Advanced defect spectroscopy in wide-bandgap semiconductors: review and recent results (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Manuel Fregolent, Francesco Piva, Matteo Buffolo, Carlo De Santi, Andrea Cester, Masataka Higashiwaki, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Publié dans: Journal of Physics D: Applied Physics, Numéro 57, 2025, Page(s) 433002, ISSN 0022-3727
Éditeur: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/ad5b6c

Highlighting the role of 3C–SiC in the performance optimization of (Al,Ga)N‒based High‒Electron mobility transistors (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Micka Bah, Daniel Alquier, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Damien Valente, Thi Huong Ngo, Eric Frayssinet, Marc Portail, Jean-Claude De Jaeger, Yvon Cordier
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 171, 2024, Page(s) 107977, ISSN 1369-8001
Éditeur: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107977

Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications, and Perspectives (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: M. Buffolo, D. Favero, A. Marcuzzi, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 71, 2024, Page(s) 1344-1355, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2023.3346369

Ion Implantation Doping in Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: F. Roccaforte, F. Giannazzo, F. Greco
Publié dans: Micro, Numéro 2, 2022, Page(s) 23-53, ISSN 2673-8023
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/micro2010002

ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor Heterostructures Grown by Ammonia Source Molecular Beam Epitaxy on Silicon Substrate (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Caroline Elias, Sébastien Chenot, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier
Publié dans: physica status solidi (a), Numéro 222, 2025, ISSN 1862-6300
Éditeur: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.202400963

On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally Grown GaN (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: K. Grabianska, R. Kucharski, T. Sochacki, J.L. Weyher, M. Iwinska, I. Grzegory, M. Bockowski
Publié dans: Crystals, Numéro 12, 2022, Page(s) 554, ISSN 2073-4352
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst12040554

Methodology for Designing Broadband DC Link Filters for Voltage Source Converters (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Sebastian Raab, Sebastian Weickert, Henning Kasten
Publié dans: Electronics, Numéro 14, 2025, Page(s) 2743, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronics14142743

TCAD Modeling of High-Field Electron Transport in Bulk Wurtzite GaN: The Full-Band SHE-BTE (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Luigi Balestra, Franco Ercolano, Elena Gnani, Susanna Reggiani
Publié dans: IEEE Access, Numéro 11, 2024, Page(s) 6293-6298, ISSN 2169-3536
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2023.3237026

Current transport in Ni Schottky barrier on GaN epilayer grown on free standing substrates (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Giuseppe Greco, Patrick Fiorenza, Emanuela Schilirò, Corrado Bongiorno, Salvatore Di Franco, Pierre-Marie Coulon, Eric Frayssinet, Florian Bartoli, Filippo Giannazzo, Daniel Alquier, Yvon Cordier, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: Microelectronic Engineering, Numéro 276, 2025, Page(s) 112009, ISSN 0167-9317
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mee.2023.112009

Recent progress in crystal growth of bulk GaN (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: M. Bockowski, I. Grzegory
Publié dans: Acta Physica Polonica A, Numéro 141 (3), 2022, Page(s) 167-174, ISSN 0587-4246
Éditeur: Polska Akademia Nauk
DOI: 10.12693/aphyspola.141.167

Conference proceedings (7)
TCAD analysis of the high-temperature reverse-bias stress on AlGaN/GaN HEMTs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Franco Ercolano, Luigi Balestra, Sebastian Krause, Stefano Leone, Isabel Streicher, Patrik Waltereit, Michael Dammann, Susanna Reggiani
Publié dans: Power Electronic Devices and Components, Numéro 10, 2025, Page(s) 100080, ISSN 2772-3704
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.pedc.2025.100080

1-mS constant-Gm GaN transconductor with embedded process compensation (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Katia Samperi, Salvatore Pennisi, Francesco Pulvirenti, Giuseppe Palmisano
Publié dans: 2025
Éditeur: Center for Open Science
DOI: 10.31219/osf.io/qyxpg

Efficiency Assessment of an Open-End Winding Inverter Exploiting a Mixed Si/GaN Technology (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: G. Baia, S. De Caro, S. Foti, H. H. Khan, A. Testa
Publié dans: 2023 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'23 ECCE Europe), 2024, Page(s) 1-9
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/epe23ecceeurope58414.2023.10264533

Micro Power Supply Based on Piezoelectric Effect (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: M. Husak, A. Budkova, T. Pycha, A. Laposa, V. Povolny, V. Janicek, J. Novak, A. Boura, J. Foit
Publié dans: 2022 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2022, Page(s) 1-4, ISBN 978-80-88365-20-4
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/asdam55965.2022.9966775

Design of a Modular GaN-based Three-Phase Three-Level ANPC Inverter (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: ANGELO DI CATALDO, Giuseppe Aiello, Dario Patti, giacomo scelba, Mario Cacciato, Francesco Gennaro
Publié dans: 2024
Éditeur: Center for Open Science
DOI: 10.31219/osf.io/mvkus

Design and Experimental Characterization of a Modular GaN-based Three-Phase and Three-Level ANPC Inverter for Electric Traction (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Angelo Di Cataldo, Giuseppe Aiello, Dario Patti, giacomo scelba, Mario Cacciato, Francesco Gennaro
Publié dans: Proc. 15th International Conference ELEKTRO 2024, Zakopane (Poland), 2026
Éditeur: Center for Open Science
DOI: 10.31219/osf.io/wmb9f

Role of trapping/detrapping in HTRB Stress and pulsed DC conditions in AlGaN/GaN HEMTs analyzed via TCAD simulations (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: F. Ercolano, L. Balestra, S. Krause, S. Leone, I. Streicher, P. Waltereit, M. Dammann, S. Reggiani
Publié dans: 2023 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), 2024, Page(s) 1-7
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iirw59383.2023.10477691

Non-peer reviewed articles (10)
Fully Integrated Galvanic Isolation Interface in GaN Technology (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Nunzio Spina, Katia Samperi, Antoine Pavlin, Salvatore Pennisi, Giuseppe Palmisano
Publié dans: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Numéro 70, 2023, Page(s) 4605-4614, ISSN 1549-8328
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/tcsi.2023.3296200

Micro-Raman and SEM analyses of failed GaN HEMT multilayer architecture (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Enza Fazio, Cettina Bottari, Santi Alessandrino, Beatrice Carbone, Salvatore Adamo, Alfio Russo, Mariangela Latino, Sabrina Conoci, Fortunato Neri, Ammar Tariq, Carmelo Corsaro
Publié dans: Microelectronics Reliability, Numéro 169, 2025, Page(s) 115754, ISSN 0026-2714
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2025.115754

Single-Branch Wide-Swing-Cascode Subthreshold GaN Monolithic Voltage Reference (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Cesare Bimbi, Salvatore Pennisi, Salvatore Privitera, Francesco Pulvirenti
Publié dans: Electronics, Numéro 11, 2025, Page(s) 1840, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronics11121840

Evolution of the Growth Mode and Its Consequences during Bulk Crystallization of GaN (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Tomasz Sochacki, Robert Kucharski, Karolina Grabianska, Jan L. Weyher, Magdalena A. Zajac, Malgorzata Iwinska, Lutz Kirste, Michal Bockowski
Publié dans: Materials, Numéro 16, 2025, Page(s) 3360, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma16093360

On the Dynamic R<sub>ON</sub>, Vertical Leakage and Capacitance Behavior in pGaN HEMTs With Heavily Carbon-Doped Buffers (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Marcello Cioni, Alessandro Chini, Nicolò Zagni, Giovanni Verzellesi, Giovanni Giorgino, Giacomo Cappellini, Cristina Miccoli, Gaetan Toulon, Tariq Wakrim, Maria Eloisa Castagna, Aurore Constant, Ferdinando Iucolano
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro 45, 2024, Page(s) 1437-1440, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3417313

Assessing the Stress Induced by Novel Packaging in GaN HEMT Devices via Raman Spectroscopy (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Zainab Dahrouch, Giuliana Malta, Moreno d’Ambrosio, Angelo Alberto Messina, Mattia Musolino, Alessandro Sitta, Michele Calabretta, Salvatore Patanè
Publié dans: Applied Sciences, Numéro 14, 2025, Page(s) 4230, ISSN 2076-3417
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/app14104230

Gate-Bias Induced R<sub>ON</sub> Instability in p-GaN Power HEMTs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Alessandro Chini, Nicolò Zagni, Giovanni Verzellesi, Marcello Cioni, Giovanni Giorgino, Maria Concetta Nicotra, Maria Eloisa Castagna, Ferdinando Iucolano
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro 44, 2023, Page(s) 915-918, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2023.3265503

Bragg diffraction imaging characterization of crystal defects in GaN (0001) substrates: Comparison of the growth method and the seed approach (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Lutz Kirste, Thu Nhi Tran-Caliste, Tomasz Sochacki, Jan L. Weyher, Patrik Straňák, Robert Kucharski, Karolina Grabianska, José Baruchel, Michal Bockowski
Publié dans: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, Numéro 71, 2025, Page(s) 100668, ISSN 0960-8974
Éditeur: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2025.100668

Alternative Measurement Approach for the Evaluation of Hot-Electron Degradation in p-GaN Gate AlGaN/GaN Power HEMTs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Marcello Cioni, Giovanni Giorgino, Alessandro Chini, Antonino Parisi, Giacomo Cappellini, Cristina Miccoli, Maria Eloisa Castagna, Cristina Tringali, Ferdinando Iucolano
Publié dans: Electronic Materials, Numéro 5, 2025, Page(s) 132-144, ISSN 2673-3978
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/electronicmat5030009

Modeling and Extraction of the Specific Contact Resistance of GaN p-i-n Diodes up to 40 GHz (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Kevin Nadaud, Zihao Lyu, Daniel Alquier, Quentin Paoli, Julien Ladroue, Arnaud Yvon, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Jérôme Billoué
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 72, 2025, Page(s) 1657-1662, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2025.3539644

Other (1)
The material of the future

Auteurs: L. Liggio
Publié dans: Platinum, Numéro March 2022, 2022, Page(s) 107
Éditeur: PUBLISCOOP Editore

Book chapters (1)
Microcontroller Based Portable Measurement System for GaN and SiC Devices Characterization (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Alberto Vella, Giuseppe Galioto, Giuseppe Costantino Giaconia
Publié dans: Lecture Notes in Electrical Engineering, Applications in Electronics Pervading Industry, Environment and Society, 2023, Page(s) 30-38
Éditeur: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-30333-3_5

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Dernière mise à jour: 10 Mars 2026

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