GaN for Advanced Power Applications

Informazioni relative al progetto

GaN4AP

ID dell’accordo di sovvenzione: 101007310

DOI

10.3030/101007310

Progetto chiuso

Data della firma CE 12 Maggio 2021

Data di avvio 1 Giugno 2021

Data di completamento 31 Agosto 2025

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Costo totale

€ 62 247 641,37

Contributo UE

€ 15 030 619,61

Coordinato da

DISTRETTO TECNOLOGICO SICILIA MICROE NANO SISTEMI SCARL
Italy

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Websites, patent fillings, videos etc. (2)

D8.1.1 - Website

Project website including objectives WPs description participants

D1.1.2 - Project website

This is the realization of the Project website for the presentation of the project with the private area to work as a tool for sharing info and documents among the partners

Pubblicazioni

Other (1)

The material of the future

Autori: L. Liggio
Pubblicato in: Platinum, Numero March 2022, 2022, Pagina/e 107
Editore: PUBLISCOOP Editore

Peer reviewed articles (4)

Structural and Insulating Behaviour of High-Permittivity Binary Oxide Thin Films for Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Autori: R. Lo Nigro, P. Fiorenza, G. Greco, E. Schilirò, F. Roccaforte
Pubblicato in: Materials, Numero 15, 2022, Pagina/e 830, ISSN 1996-1944
Editore: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma15030830

Ion Implantation Doping in Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Autori: F. Roccaforte, F. Giannazzo, F. Greco
Pubblicato in: Micro, Numero 2, 2022, Pagina/e 23-53, ISSN 2673-8023
Editore: MDPI
DOI: 10.3390/micro2010002

On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally Grown GaN

Autori: K. Grabianska, R. Kucharski, T. Sochacki, J.L. Weyher, M. Iwinska, I. Grzegory, M. Bockowski
Pubblicato in: Crystals, Numero 12, 2022, Pagina/e 554, ISSN 2073-4352
Editore: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst12040554

Recent progress in crystal growth of bulk GaN

Autori: M. Bockowski, I. Grzegory
Pubblicato in: Acta Physica Polonica A, Numero 141 (3), 2022, Pagina/e 167-174, ISSN 0587-4246
Editore: Polska Akademia Nauk
DOI: 10.12693/aphyspola.141.167