GaN for Advanced Power Applications

Leistungen

Project website including objectives WPs description participants

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Veröffentlichungen

The material of the future

Autoren: L. Liggio
Veröffentlicht in: Platinum, Ausgabe March 2022, 2022, Seite(n) 107
Herausgeber: PUBLISCOOP Editore

Structural and Insulating Behaviour of High-Permittivity Binary Oxide Thin Films for Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Autoren: R. Lo Nigro, P. Fiorenza, G. Greco, E. Schilirò, F. Roccaforte
Veröffentlicht in: Materials, Ausgabe 15, 2022, Seite(n) 830, ISSN 1996-1944
Herausgeber: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma15030830

Ion Implantation Doping in Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices

Autoren: F. Roccaforte, F. Giannazzo, F. Greco
Veröffentlicht in: Micro, Ausgabe 2, 2022, Seite(n) 23-53, ISSN 2673-8023
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/micro2010002

On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally Grown GaN

Autoren: K. Grabianska, R. Kucharski, T. Sochacki, J.L. Weyher, M. Iwinska, I. Grzegory, M. Bockowski
Veröffentlicht in: Crystals, Ausgabe 12, 2022, Seite(n) 554, ISSN 2073-4352
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst12040554

Recent progress in crystal growth of bulk GaN

Autoren: M. Bockowski, I. Grzegory
Veröffentlicht in: Acta Physica Polonica A, Ausgabe 141 (3), 2022, Seite(n) 167-174, ISSN 0587-4246
Herausgeber: Polska Akademia Nauk
DOI: 10.12693/aphyspola.141.167

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