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Advanced GeSi components for next-generation silicon photonics applications

Descrizione del progetto

Componenti ottici a velocità ultra elevata al servizio della prossima generazione di circuiti fotonici integrati

La fotonica al silicio ha permesso l’integrazione di tecnologie ottiche su semiconduttori in silicio impiegando tecnologie e approcci tradizionali e complementari basati su semiconduttori di ossido di metallo, combinando il meglio di fotonica ed elettronica. Questi circuiti fotonici integrati che ospitano sistemi ottici complessi, compresi laser, modulatori e altri dispositivi su un unico chip, riducono perdite e consumi energetici migliorando le prestazioni dei componenti singoli. Il progetto SIPHO-G, finanziato dall’UE, svilupperà modulatori e fotorilevatori ottici a velocità ultra elevata per l’integrazione nei circuiti fotonici integrati, trascendendo i limiti della trasmissione ottica dei dati e accelerando l’innovazione nelle applicazioni ottiche di prossima generazione.

Obiettivo

By developing 100Gbaud Germanium-Silicon (GeSi) Quantum-Confined Stark-Effect (QCSE) modulators and highly sensitive 100Gbaud avalanche photodetectors (APD), SIPHO-G will bring breakthrough optical modulation and photodetection capability to the world of Silicon Photonics. The newly developed compact, waveguide-coupled modulator and detector building blocks will be monolithically integrated in a high-yield cutting-edge 300mm Silicon Photonics platform, propelling the bandwidth density, power efficiency, sensitivity and complexity of silicon photonic integrated circuits to the next level. Supported by an elaborate simulation and design enablement framework, SIPHO-G will demonstrate an extensive set of application-driven prototypes across the O-band and C-band. By bringing together the entire Silicon Photonics value chain, SIPHO-G will accelerate the development of next-generation co-packaged optics, long-haul optical communications, as well as emerging PIC applications such as optical neuromorphic computing, with performance levels of 4x-20x beyond current state of the art.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

RIA - Research and Innovation action

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) H2020-ICT-2018-20

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contributo netto dell'UE
€ 2 149 855,59
Indirizzo
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgio
Regione
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale
€ 2 149 855,59

Partecipanti (8)