Description du projet
Des MOSFET ferroélectriques à haute performance pour les communications à haute fréquence de demain
Le développement de transistors affichant une vitesse de commutation et une puissance de sortie élevées est crucial pour assurer leur fonctionnement dans la gamme spectrale des ondes millimétriques. Les transistors traditionnels peuvent grandement gagner en efficacité avec l’ajout d’une fine couche d’un matériau ferroélectrique. Jusqu’ici, les chercheurs ont étudié l’intégration de films ferroélectriques dans des structures métal-isolant-métal, le silicium et les matériaux 2D. Le projet DYNAMISM, financé par l’UE, entend mettre au point une plateforme technologique III-V qui intègre des matériaux ferroélectriques. La mobilité élevée des électrons dans les matériaux III-V entraîne une transconductance élevée dans les transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Ces matériaux permettent des fréquences de rupture et des fréquences à gain unitaire plus élevées de trois ordres de grandeur par rapport aux MOSFET en silicium concurrents.
Objectif
The discovery of ferroelectric characteristics in annealed HfO2–based films opens a wide range of applications not only in memory and logic, but the results will enable new scientific directions for instance in reconfigurable electronics. So far, ferroelectric films have been investigated in metal-insulator-metal structures suitable for back-end-of-line integration. They have also been introduced onto Si and two-dimensional materials. However, there is a gap of knowledge with lack of science and technology for integration of HfO2–based ferroelectric films on III-V channel materialswhere the increased permittivity will improve electrostatics. III-V transistors hold a key position for high-performance millimetre wave electronics. The high electron mobility in III-V materials contributes to a high transconductance that enables high unity-current-gain cut-off frequency and unity-power-gain cut-off frequency, fT and fmax, more than a factor 3 higher than competing Si MOSFET technologies. The wide options for heterostructure design have enabled III-V steep-slope transistors for low-power electronics operating down to 30 mV/dec without hysteresis .
To research for the first time ferroelectric films integrated on high-performance III-V devices at technology-relevant dimensions, we will use our demonstrated integration of Hf0.5Zr0.5O2 on InAs:
- Establishing the best strategy to integrate ferroelectric gate-stacks on III-V materials with strong polarization and long endurance.
- Characterizing the dynamic properties with non-volatile functionality of ferroelectric films integrated on III-V transistor channels.
- Investigating ferroelectric III-V MOSFETs for future applications including millimeter-wave devices, cryogenic electronics, Negative Capacitance FET (NC-FET) circuitry, and Ferroelectric Tunnel Junctions (FTJs).
Combined, the new science and technology will enable novel high-performance devices as well as reconfigurable millimetre-wave electronics.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie de l’information télécommunication technologie radio technologie des micro-ondes
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Mots‑clés
Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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H2020-EU.1.1. - EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)
PROGRAMME PRINCIPAL
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
ERC-ADG - Advanced Grant
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) ERC-2020-ADG
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La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.
22100 Lund
Suède
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.