Descrizione del progetto
MOSFET ferroelettrici ad alte prestazioni per le future comunicazioni ad alta frequenza
Lo sviluppo di transistori con velocità di commutazione e potenza di uscita elevate è cruciale per il loro funzionamento nello spettro di frequenza delle onde millimetriche. I transistori tradizionali possono diventare molto più efficienti con l’aggiunta di un sottile strato di materiale ferroelettrico. Finora, i ricercatori hanno studiato l’integrazione di film ferroelettrici all’interno di strutture metallo-isolante-metallo, silicio e materiali 2D. Il progetto DYNAMISM, finanziato dall’UE, prevede di sviluppare una piattaforma tecnologica III-V che includa materiali ferroelettrici. L’elevata mobilità degli elettroni nei materiali III-V provoca un’alta transconduttanza nei transistori a effetto di campo con struttura metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET, metal-oxide semiconductor field-effect transistor). Ciò consente di ottenere frequenze di taglio e di guadagno unitario di tre ordini di grandezza superiori rispetto a quelle dei MOSFET al silicio concorrenti.
Obiettivo
The discovery of ferroelectric characteristics in annealed HfO2–based films opens a wide range of applications not only in memory and logic, but the results will enable new scientific directions for instance in reconfigurable electronics. So far, ferroelectric films have been investigated in metal-insulator-metal structures suitable for back-end-of-line integration. They have also been introduced onto Si and two-dimensional materials. However, there is a gap of knowledge with lack of science and technology for integration of HfO2–based ferroelectric films on III-V channel materialswhere the increased permittivity will improve electrostatics. III-V transistors hold a key position for high-performance millimetre wave electronics. The high electron mobility in III-V materials contributes to a high transconductance that enables high unity-current-gain cut-off frequency and unity-power-gain cut-off frequency, fT and fmax, more than a factor 3 higher than competing Si MOSFET technologies. The wide options for heterostructure design have enabled III-V steep-slope transistors for low-power electronics operating down to 30 mV/dec without hysteresis .
To research for the first time ferroelectric films integrated on high-performance III-V devices at technology-relevant dimensions, we will use our demonstrated integration of Hf0.5Zr0.5O2 on InAs:
- Establishing the best strategy to integrate ferroelectric gate-stacks on III-V materials with strong polarization and long endurance.
- Characterizing the dynamic properties with non-volatile functionality of ferroelectric films integrated on III-V transistor channels.
- Investigating ferroelectric III-V MOSFETs for future applications including millimeter-wave devices, cryogenic electronics, Negative Capacitance FET (NC-FET) circuitry, and Ferroelectric Tunnel Junctions (FTJs).
Combined, the new science and technology will enable novel high-performance devices as well as reconfigurable millimetre-wave electronics.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria informatica telecomunicazioni tecnologia radio tecnologia a microonde
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Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
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H2020-EU.1.1. - EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)
PROGRAMMA PRINCIPALE
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Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
ERC-ADG - Advanced Grant
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
(si apre in una nuova finestra) ERC-2020-ADG
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
22100 Lund
Svezia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.