Opis projektu
Wysoko wydajne ferroelektryczne tranzystory polowe MOSFET zapewnią w przyszłości komunikację na wysokich częstotliwościach
Opracowanie tranzystorów o dużej prędkości przełączania i dużej mocy wyjściowej ma istotne znaczenie dla działania tranzystorów na falach milimetrowych. Tradycyjne tranzystory mogą stać się o wiele bardziej wydajne dzięki dodaniu cienkiej warstwy materiału ferroelektrycznego. Dotychczas badania nad tego rodzaju materiałami dotyczyły integracji filmów ferroelektrycznych ze strukturami metal–izolator–metal, krzemem i materiałami 2D. Badacze z finansowanego ze środków UE projektu DYNAMISM planują opracować platformę technologiczną opartą na związkach III-V obejmującą materiały ferroelektryczne. Skutkiem wysokiej mobilności elektronów w materiałach III-V jest wysokie nadprzewodnictwo w tranzystorach polowych o strukturze metal–tlenek–półprzewodnik (MOSFET). Taka budowa umożliwia wzrost częstotliwości granicznej i częstotliwości wzmocnienia jedności o trzy rzędy wielkości w porównaniu do konkurencyjnych tranzystorów MOSFET opartych na krzemie.
Cel
The discovery of ferroelectric characteristics in annealed HfO2–based films opens a wide range of applications not only in memory and logic, but the results will enable new scientific directions for instance in reconfigurable electronics. So far, ferroelectric films have been investigated in metal-insulator-metal structures suitable for back-end-of-line integration. They have also been introduced onto Si and two-dimensional materials. However, there is a gap of knowledge with lack of science and technology for integration of HfO2–based ferroelectric films on III-V channel materialswhere the increased permittivity will improve electrostatics. III-V transistors hold a key position for high-performance millimetre wave electronics. The high electron mobility in III-V materials contributes to a high transconductance that enables high unity-current-gain cut-off frequency and unity-power-gain cut-off frequency, fT and fmax, more than a factor 3 higher than competing Si MOSFET technologies. The wide options for heterostructure design have enabled III-V steep-slope transistors for low-power electronics operating down to 30 mV/dec without hysteresis .
To research for the first time ferroelectric films integrated on high-performance III-V devices at technology-relevant dimensions, we will use our demonstrated integration of Hf0.5Zr0.5O2 on InAs:
- Establishing the best strategy to integrate ferroelectric gate-stacks on III-V materials with strong polarization and long endurance.
- Characterizing the dynamic properties with non-volatile functionality of ferroelectric films integrated on III-V transistor channels.
- Investigating ferroelectric III-V MOSFETs for future applications including millimeter-wave devices, cryogenic electronics, Negative Capacitance FET (NC-FET) circuitry, and Ferroelectric Tunnel Junctions (FTJs).
Combined, the new science and technology will enable novel high-performance devices as well as reconfigurable millimetre-wave electronics.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria informacyjna telekomunikacja technologia radiowa technologia mikrofalowa
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Słowa kluczowe
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
-
H2020-EU.1.1. - EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)
GŁÓWNY PROGRAM
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
ERC-ADG - Advanced Grant
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
(odnośnik otworzy się w nowym oknie) ERC-2020-ADG
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszeniaInstytucja przyjmująca
Kwota netto dofinansowania ze środków Unii Europejskiej. Suma środków otrzymanych przez uczestnika, pomniejszona o kwotę unijnego dofinansowania przekazanego powiązanym podmiotom zewnętrznym. Uwzględnia podział unijnego dofinansowania pomiędzy bezpośrednich beneficjentów projektu i pozostałych uczestników, w tym podmioty zewnętrzne.
22100 Lund
Szwecja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.