Dynamic Properties of Ferroelectric III-V MOSFETs

Informations projet

DYNAMISM

N° de convention de subvention: 101019147

DOI

10.3030/101019147

Date de signature de la CE 28 Juin 2021

Date de début 1 Septembre 2021

Date de fin 31 Août 2026

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coût total

€ 2 500 000,00

Contribution de l’UE

€ 2 500 000,00

Coordonné par

LUNDS UNIVERSITET
Sweden

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Publications

Peer reviewed articles (10)

As-deposited ferroelectric HZO on a III-V semiconductor

Auteurs: A. Andersen; AEO Persson; and L.-E. Wernersson
Publié dans: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0097462

Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor

Auteurs: Zhongyunshen Zhu, Anton Persson, Lars-Erik Wernersson
Publié dans: Nature Communication, Numéro 14, 2023, Page(s) 2530, ISSN 2041-1723
Éditeur: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-38242-w

RF Characterization of Ferroelectric MOS Capacitors

Auteurs: Anton E. O. Persson, Stefan Andrić, Lars Fhager, Lars-Erik Wernersson
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro 45, 2024, Page(s) 1653-1656, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3428971

Source Design of Vertical III–V Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Auteurs: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Publié dans: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Numéro 10, 2024, Page(s) 8-12, ISSN 2329-9231
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/jxcdc.2024.3355949

Cryogenic Ferroelectricity of HZO Capacitors on a III–V Semiconductor

Auteurs: Mamidala Karthik Ram, Hannes Dahlberg, Lars-Erik Wernersson
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro 45, 2024, Page(s) 1827-1830, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3448378

Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon

Auteurs: Anton E. O. Persson; Zhongyunshen Zhu; Robin Athle; Lars-Erik Wernersson
Publié dans: ISSN: 0741-3106, Numéro 1, 2022, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2022.3171597

Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics

Auteurs: Z. Zhu, A. Persson and L.-E. Wernersson
Publié dans: Science Advances, Numéro 9, 2023, Page(s) 7098, ISSN 2375-2548
Éditeur: AMER ASSOC ADVANCEMENT SCIENCE
DOI: 10.1126/sciadv.ade7098

Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf_1–<i>x</i>Zr_<i>x</i>O₂ on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf_0.2Zr_0.8O₂

Auteurs: Lars-Erik Wernersson; Anton Persson; Hannes Dahlberg; Robin Athle
Publié dans: Applied Electronic Materials, Numéro 1, 2022, ISSN 2637-6113
Éditeur: ACS
DOI: 10.1021/acsaelm.2c01483

High Current Density Vertical Nanowire TFETs With I₆₀ &gt; 1 <i>μ</i>A/<i>μ</i>m

Auteurs: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Publié dans: IEEE Access, Numéro 11, 2024, Page(s) 95692-95696, ISSN 2169-3536
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2023.3310253

Improved Endurance of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Integrated on InAs Using Millisecond Annealing

Auteurs: R. Athle, T. Blom, A. Irish, A. Persson, L.-E. Wernersson, R. Timm, M. Borg
Publié dans: Advanced materials interfaces, Numéro 9, 2022, Page(s) 2201038, ISSN 2196-7350
Éditeur: wiley
DOI: 10.1002/admi.202201038