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Fully RoHS Compliant Infrared Light Emitting Diodes Based on Novel Lead-free Quantum Dots

Descrizione del progetto

LED a infrarossi basati su nuovi materiali colloidali e dispositivi nanoingegnerizzati

La tecnologia dei diodi a luminescenza infrarossa (IR-LED, Infrared Light-Emitting Diodes) permette un’ampia serie di applicazioni, quali la comunicazione in fibra ottica, l’immaginografia biomedica, la sicurezza e la visione notturna. Sebbene i punti quantici semiconduttori colloidali contenenti piombo siano molto promettenti per la tecnologia IR-LED grazie al costo di produzione ridotto e alle proprietà ottiche eccezionali, la loro evoluzione è notevolmente limitata a causa della tossicità del piombo. Il progetto INFLED, finanziato dall’UE, individuerà e svilupperà nuovi punti quantici efficienti senza piombo. Nel punto di incontro tra chimica, fisica e ingegneria, il progetto si concentrerà su IR-LED privi di metalli pesanti più efficienti usando una tecnica di sintesi inedita e la nanoingegneria razionale, a livello di materiale e dispositivo.

Obiettivo

Infrared light-emitting diodes (IR-LEDs) serve a broad range of applications including fiber-optic communications, night vision as well as clinical diagnosis and biomedical imaging. Within the family of nanomaterials, colloidal semiconductor quantum dots (QDs) offer exceptional promises for IR-LEDs due to their unique optical properties and low-cost solution-processability. So far, state-of-the-art QD IR-LEDs are based on lead-containing QDs, which has been severely restricted by the environmental directives e.g. EU’s “Restriction of Hazardous Substances” (RoHS). In fact, current challenges of IR-LED technology are to identify and develop novel and efficient lead-free QDs. INFLED aims at demonstrating the first RoHS-compliant and efficient QD IR-LED based on innovative and environmentally friendly material design and device engineering. The project targets the most efficient heavy metal-free infrared QD using a novel synthesis technique as well as rationally nanoengineering at material level. Furthermore, the resultant design at device level will lead to low trap state density, high solid-state quantum efficiency and thereby efficient LEDs. Hence, the key objectives of this proposal are: i) a novel QD synthesis method; ii) material design at nanocrystalline level; iii) LED device engineering at supra-nanocrystalline level. INFLED is at the crossroad of chemistry, physics and engineering, and therefore is expected to attract significant attention from different disciplines along with offering new insights toward next-generation infrared and quantum network technology.

Coordinatore

FONDAZIONE ISTITUTO ITALIANO DI TECNOLOGIA
Contribution nette de l'UE
€ 171 473,28
Indirizzo
VIA MOREGO 30
16163 Genova
Italia

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Regione
Nord-Ovest Liguria Genova
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale
€ 171 473,28