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ATTOsecond Spectro-microscopies for Photoresist Improvement and Efficacy

Description du projet

De nouvelles techniques de métrologie pour la fabrication avancée de puces

Depuis que le premier circuit intégré (CI) a été produit il y a plus de 60 ans, ces derniers ont révolutionné nos vies. Ils sont omniprésents, que ce soit dans les smartphones, les téléviseurs, les ordinateurs portables, les appareils photo, les ordinateurs de bureau et bien d’autres dispositifs. Les technologies de fabrication se heurtent aujourd’hui à un obstacle. La lithographie dans l’ultraviolet extrême (UVE) est un procédé d’impression prometteur pour la fabrication en grand volume de circuits intégrés, mais le mécanisme exact du procédé lithographique n’est pas bien compris en raison du manque de techniques de métrologie capables de saisir les réactions chimiques complexes qui se produisent en lithographie UVE. Le projet ATTO-SPIE financé par l’UE développera des techniques de métrologie innovantes qui aideront à comprendre le processus lithographique UVE tout en fournissant des informations fondamentales qui permettront de mieux contrôler les résultats de cette méthode d’impression.

Objectif

After more than 40 years of development, the semiconductor industry is currently experiencing a paradigm shift as it transitions from deep ultraviolet (UV) to extreme UV (EUV) lithography for high-volume manufacturing (HVM) of integrated circuits (ICs) to ensure further device scaling to the future technology nodes. However, integration of EUV lithographic scanners in HVM pipelines has been stymied by an incomplete knowledge of the in-situ photoresist radiochemistry that occurs during EUV exposure, which has prevented engineering of photoresists to reduce stochastic print failures and subsequent device failure rates. The proposed action, ATTOsecond Spectromicroscopies for Photoresist Improvement and Efficacy (ATTO-SPIE) will bridge this knowledge gap by developing and deploying spatiotemporal metrologies that can track the in-situ electro-chemical dynamics occurring during EUV exposure.
ATTO-SPIE will capitalise on the Experienced Researcher’s (ER) expertise on the generation and use of attosecond EUV light for time-resolved spectroscopies, as well as the knowhow of an experienced team of complementary supervisors and a state-of-the-art attosecond metrology lab (AttoLab) located in a world-leading semiconductor R&D hub (IMEC) to develop new metrology techniques that will enable resolution of the EUV exposure mechanism. This ambitious aim will be accomplished via three thrusts: i) quantification of EUV exposure kinetics in photoresists, ii) ultrafast spectroscopies to track transient chemical dynamics of EUV exposure, and iii) in-situ spatiotemporal photoelectron microscopies, all of which will be key for unraveling the complexities of the EUV exposure mechanism. The results of ATTO-SPIE will not only provide new metrology tools for photoresist research, but also stimulate new avenues in ultrafast metrologies for the semiconductor industry, while also enhancing the career potential of the ER and increasing the current knowledge base of resist radiation chemistry.

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contribution nette de l'UE
€ 166 320,00
Adresse
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgique

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Région
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Type d’activité
Research Organisations
Liens
Coût total
€ 166 320,00