Opis projektu
Nowe techniki metrologii wspierają produkcję zaawansowanych chipów
Od czasu wyprodukowania pierwszego układu scalonego ponad 60 lat temu w naszym życiu zaszła prawdziwa rewolucja. Układy scalone znajdują się niemal wszędzie – w smartfonach, telewizorach, laptopach, kamerach, komputerach oraz w wielu innych urządzeniach. Jednak technologie ich wytwarzania mierzą się obecnie z poważnym utrudnieniem. Litografia w ekstremalnie dalekim nadfiolecie (EUV) jest obiecującym procesem drukowania wykorzystywanym do wytwarzania na dużą skalę układów scalonych, jednak dokładny mechanizm procesu litografii nie został dotąd w pełni poznany z uwagi na brak technik metrologii, które pozwoliłyby na uchwycenie złożonych przemian chemicznych zachodzących podczas litografii EUV. Wobec tego zespół finansowanego ze środków UE projektu ATTO-SPIE opracuje innowacyjne techniki metrologiczne, które pomogą w lepszym zrozumieniu procesu litografii EUV i jednocześnie dostarczą fundamentalną wiedzę, która umożliwi większą kontrolę nad efektami drukowania litograficznego w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie.
Cel
After more than 40 years of development, the semiconductor industry is currently experiencing a paradigm shift as it transitions from deep ultraviolet (UV) to extreme UV (EUV) lithography for high-volume manufacturing (HVM) of integrated circuits (ICs) to ensure further device scaling to the future technology nodes. However, integration of EUV lithographic scanners in HVM pipelines has been stymied by an incomplete knowledge of the in-situ photoresist radiochemistry that occurs during EUV exposure, which has prevented engineering of photoresists to reduce stochastic print failures and subsequent device failure rates. The proposed action, ATTOsecond Spectromicroscopies for Photoresist Improvement and Efficacy (ATTO-SPIE) will bridge this knowledge gap by developing and deploying spatiotemporal metrologies that can track the in-situ electro-chemical dynamics occurring during EUV exposure.
ATTO-SPIE will capitalise on the Experienced Researcher’s (ER) expertise on the generation and use of attosecond EUV light for time-resolved spectroscopies, as well as the knowhow of an experienced team of complementary supervisors and a state-of-the-art attosecond metrology lab (AttoLab) located in a world-leading semiconductor R&D hub (IMEC) to develop new metrology techniques that will enable resolution of the EUV exposure mechanism. This ambitious aim will be accomplished via three thrusts: i) quantification of EUV exposure kinetics in photoresists, ii) ultrafast spectroscopies to track transient chemical dynamics of EUV exposure, and iii) in-situ spatiotemporal photoelectron microscopies, all of which will be key for unraveling the complexities of the EUV exposure mechanism. The results of ATTO-SPIE will not only provide new metrology tools for photoresist research, but also stimulate new avenues in ultrafast metrologies for the semiconductor industry, while also enhancing the career potential of the ER and increasing the current knowledge base of resist radiation chemistry.
Dziedzina nauki
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
- natural scienceschemical sciencesnuclear chemistryradiochemistry
- natural sciencesphysical sciencesopticsmicroscopy
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- natural scienceschemical sciencesnuclear chemistryradiation chemistry
- natural sciencesphysical sciencesopticsspectroscopy
Słowa kluczowe
Program(-y)
Temat(-y)
System finansowania
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)Koordynator
3001 Leuven
Belgia