Description du projet
Un nouvel outil d’inspection pourrait aider à repérer les défauts pendant la croissance du cristal
Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur polyvalent utilisé dans diverses applications, notamment les diodes électroluminescentes à haute luminosité, les cellules solaires et les dispositifs haute fréquence et haute puissance. Sa densité de puissance élevée et ses limites de tension de rupture font que le matériau convient également aux chargeurs de base des téléphones 5G. Financé par le programme Actions Marie Skłodowska-Curie, le projet GaNSpector prévoit de développer un outil d’inspection automatisé et non destructif pour aider les fabricants de semi-conducteurs à évaluer la qualité des cristaux de GaN. Un tel scanner devrait permettre d’identifier les défauts pendant le processus de croissance, avant que les cristaux ne soient traités plus avant. En outre, il devrait permettre d’économiser les ressources nécessaires au tranchage et au polissage des cristaux initialement défectueux, réduisant ainsi le temps et les coûts de fabrication des plaquettes prêtes pour l’épitaxie.
Objectif
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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- ingénierie et technologieingénierie des materiauxcristaux
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Mots‑clés
Programme(s)
Appel à propositions
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-MSCA-IF-2020
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MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)Coordinateur
1006 Lausanne
Suisse
L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.