Descrizione del progetto
Un nuovo strumento di ispezione potrebbe contribuire a individuare i difetti durante la crescita dei cristalli
Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore versatile utilizzato in diverse applicazioni, compresi i diodi a emissione luminosa a elevata luminescenza, le celle solari e i dispositivi ad alta frequenza e ad alta potenza. La sua elevata densità di potenza e i suoi limiti di tensione di rottura rendono il materiale adatto anche per i caricatori dei telefoni 5G. Finanziato dal programma di azioni Marie Skłodowska-Curie, il progetto GaNSpector prevede di sviluppare uno strumento di ispezione automatizzato e non distruttivo per aiutare i produttori di semiconduttori a valutare la qualità del cristallo GaN. Tale scanner dovrebbe aiutare a identificare i difetti durante il processo di crescita, prima che i cristalli vengano ulteriormente lavorati. Inoltre, dovrebbe far risparmiare risorse in fase di taglio e di levigatura dei cristalli inizialmente difettosi, riducendo così i tempi e i costi di fabbricazione dei wafer pronti per l’epitassia.
Obiettivo
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
- ingegneria e tecnologia ingegneria dei materiali cristalli
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria informatica telecomunicazioni reti di telecomunicazione rete mobile 5G
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalli di post-transizione
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
-
H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions
PROGRAMMA PRINCIPALE
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H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility
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Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2020
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
1006 Lausanne
Svizzera
L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.