Descrizione del progetto
Un nuovo strumento di ispezione potrebbe contribuire a individuare i difetti durante la crescita dei cristalli
Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore versatile utilizzato in diverse applicazioni, compresi i diodi a emissione luminosa a elevata luminescenza, le celle solari e i dispositivi ad alta frequenza e ad alta potenza. La sua elevata densità di potenza e i suoi limiti di tensione di rottura rendono il materiale adatto anche per i caricatori dei telefoni 5G. Finanziato dal programma di azioni Marie Skłodowska-Curie, il progetto GaNSpector prevede di sviluppare uno strumento di ispezione automatizzato e non distruttivo per aiutare i produttori di semiconduttori a valutare la qualità del cristallo GaN. Tale scanner dovrebbe aiutare a identificare i difetti durante il processo di crescita, prima che i cristalli vengano ulteriormente lavorati. Inoltre, dovrebbe far risparmiare risorse in fase di taglio e di levigatura dei cristalli inizialmente difettosi, riducendo così i tempi e i costi di fabbricazione dei wafer pronti per l’epitassia.
Obiettivo
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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Invito a presentare proposte
(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2020
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MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)Coordinatore
1006 Lausanne
Svizzera
L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.