Projektbeschreibung
Neues Prüfwerkzeug findet Defekte bereits während des Kristallwachstums
Galliumnitrid (GaN) ist ein vielseitiger Halbleiter, der in verschiedenen Anwendungen, angefangen bei Leuchtdioden starker Helligkeit und Solarzellen bis hin zu Hochfrequenz- und Hochleistungsbauelementen, zum Einsatz kommt. Das Material eignet sich aufgrund seiner hohen Leistungsdichte und Durchbruchspannung auch für Ladegeräte für 5G-Telefone. Das im Rahmen der Marie-Skłodowska-Curie-Maßnahmen finanzierte Projekt GaNSpector plant die Entwicklung eines automatisierten, zerstörungsfreien Prüfgeräts, das bei der Halbleiterherstellung die Bewertung der Galliumnitridkristallqualität erleichtert. Ein Scanner dieser Art könnte die Defekte bereits während des Wachstumsprozesses erkennen, bevor die Kristalle weiterverarbeitet werden. Zudem wird er Ressourcen für das Schneiden und Polieren der von Anfang an fehlerhaften Kristalle einsparen, wodurch bei der Herstellung epitaxietauglicher Wafer Zeit und Kosten eingespart werden.
Ziel
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
- Technik und Technologie Werkstofftechnik Kristalle
- Technik und Technologie Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik Informationstechnik Telekommunikation Telekommunikationsnetz Mobiles Netzwerk 5G
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
Schlüsselbegriffe
Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).
Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions
HAUPTPROGRAMM
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H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)
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Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
(öffnet in neuem Fenster) H2020-MSCA-IF-2020
Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigenKoordinator
Finanzieller Nettobeitrag der EU. Der Geldbetrag, den der Beteiligte erhält, abzüglich des EU-Beitrags an mit ihm verbundene Dritte. Berücksichtigt die Aufteilung des EU-Finanzbeitrags zwischen den direkten Begünstigten des Projekts und anderen Arten von Beteiligten, wie z. B. Dritten.
1006 Lausanne
Schweiz
Die Organisation definierte sich zum Zeitpunkt der Unterzeichnung der Finanzhilfevereinbarung selbst als KMU (Kleine und mittlere Unternehmen).
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.