Projektbeschreibung
Neues Prüfwerkzeug findet Defekte bereits während des Kristallwachstums
Galliumnitrid (GaN) ist ein vielseitiger Halbleiter, der in verschiedenen Anwendungen, angefangen bei Leuchtdioden starker Helligkeit und Solarzellen bis hin zu Hochfrequenz- und Hochleistungsbauelementen, zum Einsatz kommt. Das Material eignet sich aufgrund seiner hohen Leistungsdichte und Durchbruchspannung auch für Ladegeräte für 5G-Telefone. Das im Rahmen der Marie-Skłodowska-Curie-Maßnahmen finanzierte Projekt GaNSpector plant die Entwicklung eines automatisierten, zerstörungsfreien Prüfgeräts, das bei der Halbleiterherstellung die Bewertung der Galliumnitridkristallqualität erleichtert. Ein Scanner dieser Art könnte die Defekte bereits während des Wachstumsprozesses erkennen, bevor die Kristalle weiterverarbeitet werden. Zudem wird er Ressourcen für das Schneiden und Polieren der von Anfang an fehlerhaften Kristalle einsparen, wodurch bei der Herstellung epitaxietauglicher Wafer Zeit und Kosten eingespart werden.
Ziel
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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- Technik und TechnologieWerkstofftechnikKristalle
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1006 Lausanne
Schweiz
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