Opis projektu
Nowe narzędzie pomaga w wykrywaniu defektów podczas wzrostu kryształów
Azotek galu (GaN) to wszechstronny półprzewodnik wykorzystywany w różnych produktach, w tym w diodach elektroluminescencyjnych o wysokiej jasności, ogniwach słonecznych i urządzeniach wysokiej częstotliwości i mocy. Wysoka gęstość mocy i graniczne wartości napięcia przebicia sprawiają, że materiał ten nadaje się również do stosowania w ładowarkach do telefonów 5G. Projekt GaNSpector, finansowany w ramach działania „Maria Skłodowska-Curie”, ma na celu opracowanie zautomatyzowanego narzędzia do kontroli nieniszczącej, które pomoże producentom półprzewodników oceniać jakość kryształów GaN. Taki skaner powinien umożliwić wykrywanie defektów podczas procesu wzrostu kryształów, zanim zostaną one poddane dalszej obróbce. Ponadto efektem powinno być zaoszczędzenie zasobów przeznaczanych na cięcie i polerowanie wadliwych kryształów, a tym samym skrócenie czasu i obniżenie kosztów produkcji płytek gotowych do epitaksji.
Cel
Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC), in particular the 4H hexagonal polytype of SiC (4H-SiC), are wide bandgap semiconductors with significantly superior electrical and thermal characteristics compared to Silicon. Both materials are key enablers for ongoing changes in electric utility and transportation infrastructures. Commercial products that significantly benefit from GaN and SiC semiconductors include solid-state energy converters, power management electronics, power amplifiers, light-emitting diodes, displays, solar cells, lasers, and environmental sensors. Recently, the development of GaN and SiC-based devices has highly accelerated because of their potential for 5G technology. The high defectiveness of produced crystals is one of the principal obstacles to expanding GaN and 4H-SiC use. Therefore, tools for more efficient GaN and 4H-SiC production are highly requested.
The Swiss company Scientific Visual has already developed quality inspection tools for raw Sapphire industrial crystals and is expanding its technology to GaN and 4H-SiC. This project aims to develop an automated non-destructive inspection tool to help semiconductor manufacturers to get insight into raw GaN and 4H-SiC crystal quality. Such a scanner will help improving the growth process and assessing the defectiveness of GaN and 4H-SiC crystals before processing. It will save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and thereby time and costs to fabricate epi-ready wafers.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa kryształy
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria informacyjna telekomunikacja sieć telekomunikacyjna sieć mobilna 5G
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Słowa kluczowe
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
-
H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions
GŁÓWNY PROGRAM
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu -
H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
(odnośnik otworzy się w nowym oknie) H2020-MSCA-IF-2020
Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszeniaKoordynator
Kwota netto dofinansowania ze środków Unii Europejskiej. Suma środków otrzymanych przez uczestnika, pomniejszona o kwotę unijnego dofinansowania przekazanego powiązanym podmiotom zewnętrznym. Uwzględnia podział unijnego dofinansowania pomiędzy bezpośrednich beneficjentów projektu i pozostałych uczestników, w tym podmioty zewnętrzne.
1006 Lausanne
Szwajcaria
Organizacja określiła się jako MŚP (firma z sektora małych i średnich przedsiębiorstw) w czasie podpisania umowy o grant.
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.