Low power spintronics wireless autonomous node (SWAN) integrated circuits developed via spintronics technology accelerator platform

Informazioni relative al progetto

SWAN-on-chip

ID dell’accordo di sovvenzione: 101070287

DOI

10.3030/101070287

Progetto chiuso

Data della firma CE 23 Giugno 2022

Data di avvio 1 Ottobre 2022

Data di completamento 30 Settembre 2025

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 3 180 372,50

Contributo UE

€ 3 180 372,25

Coordinato da

INTERNATIONAL IBERIAN NANOTECHNOLOGY LABORATORY
Portugal

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Documents, reports (5)

D1.1 Intermediate report on spintronic equivalent circuits

Intermediate report on spintronic equivalent circuits

D1.2 Intermediate report on process optimisation of individual MTJ devices

Intermediate report on process optimisation of individual MTJ devices

D6.2 Plan for the Exploitation and Dissemination of the Project Results (PDER)

Plan for the Exploitation and Dissemination of the Project Results (PDER)

D7.2 Risk Management and Mitigation Plan

Risk Management and Mitigation Plan

D7.1 Project management collaborative tools

Project management collaborative tools

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

D6.1 SWAN-on-chip website

SWAN-on-chip website

Data Management Plan (1)

D7.3 Initial Data Management Plan

Initial Data Management Plan

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (10)

Antiferromagnetic interlayer exchange coupled Co68B32/Ir/Pt multilayers

Autori: Darwin E.; Tomasello R.; Shepley P. M.; Satchell N.; Carpentieri M.; Finocchio G.; Hickey B. J.
Pubblicato in: Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-10 (2024), 2024, ISSN 2045-2322
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41598-023-49976-4

All-antiferromagnetic electrically controlled memory on silicon featuring large tunneling magnetoresistance

Autori: Shi, Jiacheng; Lopez-Dominguez, Victor; Arpaci, Sevdenur; Sangwan, Vinod K.; Mahfouzi, Farzad; Kim, Jinwoong; Athas, Jordan G.; Hamdi, Mohammad; Aygen, Can; Phatak, Charudatta; Carpentieri, Mario; Jiang, Jidong S.; Grayson, Matthew A.; Kioussis, Nicholas; Finocchio, Giovanni; Hersam, Mark C.; Amiri, Pedram Khalili
Pubblicato in: Advanced Materials, 2023, ISSN 1521-4095
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/adma.202312008

Ultra-sensitive voltage-controlled skyrmion-based spintronic diode

Autori: Davi R Rodrigues; Riccardo Tomasello; Giulio Siracusano; Mario Carpentieri; Giovanni Finocchio
Pubblicato in: Crossref, 2023, ISSN 1361-6528
Editore: IOP publishing
DOI: 10.48550/arxiv.2303.11838

Evaluating Spintronics-Compatible Implementations of Ising Machines

Autori: Andrea Grimaldi; Luciano Mazza; Eleonora Raimondo; Pietro Tullo; Davi Rodrigues; Kerem Y. Camsari; Vincenza Crupi; Mario Carpentieri; Vito Puliafito; Giovanni Finocchio
Pubblicato in: Crossref, 2023, ISSN 2331-7019
Editore: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2304.04177

The impact of local pinning sites in magnetic tunnel junctions with non-homogeneous free layers

Autori: Alex. S. Jenkins; Leandro Martins; Luana C. Benetti; Alejandro Schulman; Pedro Anacleto; Marcel S. Claro; Ihsan Caha; Francis Leonard Deepak; Elvira Paz; Ricardo Ferreira
Pubblicato in: Communications Materials, 2024, ISSN 2662-4443
Editore: Nature
DOI: 10.48550/arxiv.2304.08228

Emission of coherent THz magnons in an antiferromagnetic insulator triggered by ultrafast spin–phonon interactions

Autori: E. Rongione; O. Gueckstock; M. Mattern; O. Gomonay; H. Meer; C. Schmitt; R. Ramos; T. Kikkawa; M. Mičica; E. Saitoh; J. Sinova; H. Jaffrès; J. Mangeney; S. T. B. Goennenwein; S. Geprägs; T. Kampfrath; M. Kläui; M. Bargheer; T. S. Seifert; S. Dhillon; R. Lebrun
Pubblicato in: Nature communications, 2023, ISSN 2041-1723
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-37509-6

Coupling of ferromagnetic and antiferromagnetic spin dynamics in Mn$_{2}$Au/NiFe thin-film bilayers

Autori: Al-Hamdo, Hassan; Wagner, Tobias; Lytvynenko, Yaryna; Kendzo, Gutenberg; Reimers, Sonka; Ruhwedel, Moritz; Yaqoob, Misbah; Vasyuchka, Vitaliy I.; Pirro, Philipp; Sinova, Jairo; Kläui, Mathias; Jourdan, Martin; Gomonay, Olena; Weiler, Mathias
Pubblicato in: Physical Physical Letters, 2023, ISSN 1079-7114
Editore: APS
DOI: 10.1103/PhysRevLett.131.046701

Current-driven writing process in antiferromagnetic Mn2Au for memory applications

Autori: S. Reimers; Y. Lytvynenko; Y. R. Niu; E. Golias; B. Sarpi; L. S. I. Veiga; T. Denneulin; A. Kovács; R. E. Dunin-Borkowski; J. Bläßer; M. Kläui; M. Jourdan
Pubblicato in: Nature Communications, 2023, ISSN 2041-1723
Editore: Nature
DOI: 10.1038/s41467-023-37569-8

Direct observation of altermagnetic band splitting in CrSb thin films

Autori: Sonka Reimers; Lukas Odenbreit; Libor Šmejkal; Vladimir N. Strocov; Procopios Constantinou; Anna B. Hellenes; Rodrigo Jaeschke Ubiergo; Warlley H. Campos; Venkata K. Bharadwaj; Atasi Chakraborty; Thibaud Denneulin; Wen Shi; Rafal E. Dunin-Borkowski; Suvadip Das; Mathias Kläui; Jairo Sinova; Martin Jourdan
Pubblicato in: Nature Communications 15(1), 2116 (2024). doi:10.1038/s41467-024-46476-5, 2024, ISSN 2041-1723
Editore: Nature
DOI: 10.34734/fzj-2024-02048

Magnetic properties of hematite revealed by an <i>ab initio</i> parameterized spin model

Autori: Dannegger, Tobias; Deák, András; Rózsa, Levente; Galindez-Ruales, E.; Das, Shubhankar; Baek, Eunchong; Kläui, Mathias; Szunyogh, László; Nowak, Ulrich
Pubblicato in: Physical Review B, 2023, ISSN 2469-9969
Editore: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2301.13094