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Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

Projektbeschreibung

Mit GaN-Technologie in eine grünere Zukunft

Der weltweit steigende Energiebedarf erfordert eine effizientere und nachhaltigere Leistungselektronik. Mit herkömmlichen Halbleitermaterialien können Energieeffizienz und hohe Leistung nur schwer in Einklang gebracht werden, was den Fortschritt in der grünen Technologie einschränkt. Galliumnitrid (GaN) hat sich als überlegene Alternative herauskristallisiert, aber seine Integration in industrielle Anwendungen bleibt eine Herausforderung. Europa braucht eine robuste und einheimische Lösung, um bei der GaN-basierten Leistungselektronik führend zu sein. Daher wird im EU-finanzierten Projekt ALL2GaN ein intelligentes Instrumentarium zur GaN-Integration erstellt und so die europäische Führungsrolle bei energieeffizienter Elektronik gestärkt. Zusammen mit 46 Partnern aus 12 Ländern wird das Team modernste GaN-Bauelemente, innovative Substrate und fortschrittliche Verpackungslösungen entwickeln. Durch die Optimierung von Effizienz und Zuverlässigkeit wird das ALL2GaN-Team das volle Potenzial von GaN für eine grünere Zukunft erschließen.

Ziel

ALL2GaN will be the backbone for the European Power Electronics Industry by offering an EU-born smart GaN Integration Toolbox. The project will provide the base for applications with significantly increased material- and energy efficiency, thus meeting the global energy needs while keeping the CO2 footprint to the minimum.
46 partners from 12 European countries will collaborate on 8 major objectives along the entire vertical value chain of power and RF electronics.
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for ≤ 100V
O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN
O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integrated circuits ≥ 650V
O4: Reach best technical and cost performance of RF GaN on Si with novel integration concepts
O5: Break the packaging limits by application driven integrated solutions of high performance GaN products
O6: Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-to-market and maximum product availability at the end user
O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics and RF applications
O8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/business cases and European leadership beyond ALL2GaN.
The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering activities on novel power- and RF-GaN technologies for various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and demonstration in 11 Use Cases.
With ambitious goals and a clear vision, ALL2GaN will unleash the energy saving and material efficiency potential of GaN semiconductors for a broad field of applications, thus being in line with the major challenges outlined in the ECS-SRIA. ALL2GaN technology will directly contribute to energy saving and cutting-edge green technology innovation as…Every Watt counts!

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

Schlüsselbegriffe

Programm/Programme

Thema/Themen

Finanzierungsplan

HORIZON-JU-IA - HORIZON JU Innovation Actions

Alle im Rahmen dieses Finanzierungsinstruments finanzierten Projekte anzeigen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

(öffnet in neuem Fenster) HORIZON-KDT-JU-2022-1-IA

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Netto-EU-Beitrag
€ 1 622 353,62
Adresse
SIEMENSSTRASSE 2
9500 Villach
Österreich
Region
Südösterreich Kärnten Klagenfurt-Villach
Aktivitätstyp
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Links
Gesamtkosten
€ 8 111 768,10

Beteiligte (43)

Partner (3)