Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

Projektinformationen

ALL2GaN

ID Finanzhilfevereinbarung: 101111890

DOI

10.3030/101111890

EK-Unterschriftsdatum 17 Mai 2023

Startdatum 1 Mai 2023

Enddatum 30 April 2026

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 59 976 056,19

EU-Beitrag

€ 15 924 666,77

Koordiniert durch

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Austria

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Website

Logo and Website available and online (T7.2.1)

Documents, reports (1)

Communication, Dissemination, Market & Stakeholder Plan

Strategic outline of the Communication & Dissemination Plan (updates during annual general assemblies), First set of market analysis and stakeholder identification (T7.2.1)

Veröffentlichungen

Conference proceedings (10)

Optimal Driving Strategies for GaN HEMT: A Numerical Non-Linear Datasheet-Based Model

Autoren: Daniel Ríos Linares, Miguel Astudillo Martínez, Miroslav Vasić
Veröffentlicht in: IEEE APEC, 2024, ISSN 2470-6647
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/APEC48139.2024.10509318

A 39.5 dBm GaN Doherty Amplifier MMIC with Phase Control for Ka-band Space Applications

Autoren: J. Romero Lopera; M. Gadringer; E. Leitgeb; H. Paulitsch; W. Bösch
Veröffentlicht in: 2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2023, ISBN 978-2-87487-073-6
Herausgeber: IEEE Xplore
DOI: 10.23919/EuMIC58042.2023.10288798

Capacitive Based Isolated Resonant Switched Capacitor Solid State DC Transformer

Autoren: Catalin Muntean, Miguel Astudillo Martínez, Diego Serrano, Miroslav Vasić
Veröffentlicht in: IEEE APEC, 2024, ISSN 2470-6647
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/APEC48139.2024.10509422

Development of a Python-Based MasterCurveCreator Tool for Viscoelastic Materials

Autoren: H. Sharma, J. Albrecht, T. D. Horn, R. Pantou, S. Rzepka.,
Veröffentlicht in: Smart Sytem Integration Conference, 2025
Herausgeber: SSI

A 5G FR1 43.5 dBm GaN Hybrid Doherty Power Amplifier with Dynamic Auxiliary Gate Voltage for Enhanced Gain at Saturation

Autoren: Abdolhamid Noori, Jorge Julian Moreno Rubio, Christian Fager, Gregor Lasser
Veröffentlicht in: 2025 16th German Microwave Conference (GeMiC), 2025, ISSN 2167-8022
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/GEMIC64734.2025.10979016

A Comparative Analysis of GaN, SiC, and Si Transistors in kW-range Synchronous Converters

Autoren: Lars van Eeuwijk, Bart Bokmans, Bas Vermulst
Veröffentlicht in: 2024 IEEE 9th Southern Power Electronics Conference (SPEC), 2025, ISSN 2832-2983
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SPEC62217.2024.10892938

Physics-of-Failure based Lifetime Prediction for Power Electronics under Mission Profile Load Conditions

Autoren: Albrecht Jain, Horn Tobias Daniel, Leonhard Hertenstein, Rzepka Sven
Veröffentlicht in: 2025 26th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2025, ISSN 2833-8596
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME65125.2025.11006588

Influence of Reducing the Load Level of Mission Profiles on the Remaining Useful Life of a TO220 Analyzed with a Surrogate Model

Autoren: Tobias Daniel Horn, Jan Albrecht, Sven Rzepka
Veröffentlicht in: PHM Society European Conference, Ausgabe 8, 2024, ISSN 2325-016X
Herausgeber: PHM Society
DOI: 10.36001/PHME.2024.V8I1.3979

A 10 W GaN/Si Doherty Power Amplifier Designed for 15 GHz 6G Band with 8 dB Backoff Efficiency

Autoren: Hossein Zaheri, Rob Vissers, Han Zhou, Gregor Lasser
Veröffentlicht in: 2025 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMIC), 2025, ISSN 2689-5498
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/INMMIC64198.2025.10975657

Magnetic Optimization for Three-Phase LLC Converters

Autoren: Daniel Rios Linares; Alberto Delgado Exposito; Miroslav Vasic
Veröffentlicht in: PCIM Europe, 2023, ISBN 978-3-8007-6091-6
Herausgeber: VDE
DOI: 10.30420/566091133

Peer reviewed articles (10)

The role of carbon segregation in the electrical activity of dislocations in carbon doped GaN

Autoren: Ze F. Scales, Christian Koller, Liverios Lymperakis, Michael Nelhiebel, Michael Stoeger-Pollach
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 136, 2025, ISSN 0021-8979
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0213275

Analyzing the role of hole injection on the short circuit performance of p-GaN gate power HEMTs

Autoren: D. Wieland, B. Butej, M. Stabentheiner, C. Koller, D. Pogany, C. Ostermaier
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, Ausgabe 169, 2025, ISSN 0026-2714
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115722

Floating Capacitor Integrated DAB for Single-Phase, Single-Stage PFC in Wireless Battery Charging Application

Autoren: I. Alzuguren, A. Garcia-Bediaga, A. Avila, A. Rujas and M. Vasić
Veröffentlicht in: IEEE Open Journal of Power Electronics, Ausgabe Volume 4, 2023, 2023, ISSN 2644-1314
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2023.3313314

Low-power AlGaN/GaN pressure sensors for harsh environmental conditions with high sensitivity

Autoren: Matthias Moser, Mamta Pradhan, Ikram Ul Haq Emal, Satabdi Bastia, Mathias Kaschel, Kevin Edelmann, Ingmar Kallfass, Joachim N. Burghartz
Veröffentlicht in: Power Electronic Devices and Components, Ausgabe 10, 2025, ISSN 2772-3704
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.PEDC.2025.100076

IEEE Transactions on Power Electronics

Autoren: Ander Udabe; Igor Baraia-Etxaburu; David Garrido Diez
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Power Electronics, 2025, ISSN 0885-8993
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TPEL.2025.3532604

In-Chip Microfluidic Cooling Integrated on GaN Power IC Reaching High Power Density of 78kW/l

Autoren: Remco van Erp, Nirmana Perera, Luca Nela, Ibrahim Osama Elhagali, Hongkeng Zhu, and Elison Matioli
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, ISSN 0885-8993
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TPEL.2024.3396508

A Delta-Sigma Modulated Power Converter With Inherent Zero-Voltage Switching

Autoren: Bart F. J. Bokmans; Bas J. D. Vermulst; Jan M. Schellekens; Henk Huisman
Veröffentlicht in: IEEE Open Journal of Power Electronics, Ausgabe volume 5, 2024, ISSN 2644-1314
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2024.3359848

1.2 kV Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMTs on 200 mm Engineered Substrates

Autoren: S. Kumar , K. Geens , A. Vohra , D. Wellekens , D. Cingu , E. Fabris , T. Cosnier, H. Hahn , B. Bakeroot , N. Posthuma , R. Langer, and S. Decoutere
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters, Ausgabe Volume: 45, Ausgabe: 4,, 2024, ISSN 0741-3106
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/LED.2024.3361164

Junction temperature monitoring for cascode GaN devices using the Si MOSFET's body diode voltage drop

Autoren: Zhebie Lu, Francesco Iannuzzo
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, 2023, ISSN 0026-2714
Herausgeber: Elsevier
DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115158

In-Operation Junction Temperature Extraction for Cascode GaN Devices Based on Turn-Off Delay

Autoren: Zhebie Lu, Francesco Iannuzzo
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Power Electronics, Ausgabe 39, 2024, ISSN 0885-8993
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TPEL.2024.3354166