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Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

Descrizione del progetto

Una tecnologia basata sul nitruro di gallio per alimentare un futuro più verde

La crescente domanda globale di energia richiede un’elettronica di potenza più efficiente e sostenibile; i materiali semiconduttori convenzionali faticano a trovare un equilibrio tra efficienza energetica e prestazioni elevate, limitando i progressi della tecnologia verde. Il nitruro di gallio (GaN) è emerso come un’alternativa superiore a tal riguardo; ciononostante, la sua integrazione nelle applicazioni industriali costituisce tuttora una sfida e l’Europa ha bisogno di una soluzione solida prodotta a livello locale per diventare un leader nell’elettronica di potenza basata su GaN. In questo contesto, il progetto ALL2GaN, finanziato dall’UE, sta creando una kit di strumenti intelligente per l’integrazione del GaN al fine di stimolare la leadership europea nell’elettronica ad alta efficienza energetica. Avvalendosi della collaborazione di 46 partner provenienti da 12 diversi paesi, il progetto svilupperà dispositivi GaN all’avanguardia, substrati innovativi e soluzioni di packaging avanzate. Ottimizzando l’efficienza e l’affidabilità, ALL2GaN libererà il pieno potenziale del GaN per promuovere un futuro più verde.

Obiettivo

ALL2GaN will be the backbone for the European Power Electronics Industry by offering an EU-born smart GaN Integration Toolbox. The project will provide the base for applications with significantly increased material- and energy efficiency, thus meeting the global energy needs while keeping the CO2 footprint to the minimum.
46 partners from 12 European countries will collaborate on 8 major objectives along the entire vertical value chain of power and RF electronics.
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for ≤ 100V
O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN
O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integrated circuits ≥ 650V
O4: Reach best technical and cost performance of RF GaN on Si with novel integration concepts
O5: Break the packaging limits by application driven integrated solutions of high performance GaN products
O6: Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-to-market and maximum product availability at the end user
O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics and RF applications
O8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/business cases and European leadership beyond ALL2GaN.
The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering activities on novel power- and RF-GaN technologies for various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and demonstration in 11 Use Cases.
With ambitious goals and a clear vision, ALL2GaN will unleash the energy saving and material efficiency potential of GaN semiconductors for a broad field of applications, thus being in line with the major challenges outlined in the ECS-SRIA. ALL2GaN technology will directly contribute to energy saving and cutting-edge green technology innovation as…Every Watt counts!

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

HORIZON-JU-IA - HORIZON JU Innovation Actions

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-KDT-JU-2022-1-IA

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Contributo netto dell'UE
€ 1 622 353,62
Indirizzo
SIEMENSSTRASSE 2
9500 Villach
Austria
Regione
Südösterreich Kärnten Klagenfurt-Villach
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale
€ 8 111 768,10

Partecipanti (43)

Partner (3)