Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

Informations projet

ALL2GaN

N° de convention de subvention: 101111890

DOI

10.3030/101111890

Date de signature de la CE 17 Mai 2023

Date de début 1 Mai 2023

Date de fin 30 Avril 2026

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 59 976 056,19

Contribution de l’UE

€ 15 924 666,77

Coordonné par

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Austria

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Website

Logo and Website available and online (T7.2.1)

Documents, reports (1)

Communication, Dissemination, Market & Stakeholder Plan

Strategic outline of the Communication & Dissemination Plan (updates during annual general assemblies), First set of market analysis and stakeholder identification (T7.2.1)

Publications

Conference proceedings (10)

Optimal Driving Strategies for GaN HEMT: A Numerical Non-Linear Datasheet-Based Model

Auteurs: Daniel Ríos Linares, Miguel Astudillo Martínez, Miroslav Vasić
Publié dans: IEEE APEC, 2024, ISSN 2470-6647
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/APEC48139.2024.10509318

A 39.5 dBm GaN Doherty Amplifier MMIC with Phase Control for Ka-band Space Applications

Auteurs: J. Romero Lopera; M. Gadringer; E. Leitgeb; H. Paulitsch; W. Bösch
Publié dans: 2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2023, ISBN 978-2-87487-073-6
Éditeur: IEEE Xplore
DOI: 10.23919/EuMIC58042.2023.10288798

Capacitive Based Isolated Resonant Switched Capacitor Solid State DC Transformer

Auteurs: Catalin Muntean, Miguel Astudillo Martínez, Diego Serrano, Miroslav Vasić
Publié dans: IEEE APEC, 2024, ISSN 2470-6647
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/APEC48139.2024.10509422

Development of a Python-Based MasterCurveCreator Tool for Viscoelastic Materials

Auteurs: H. Sharma, J. Albrecht, T. D. Horn, R. Pantou, S. Rzepka.,
Publié dans: Smart Sytem Integration Conference, 2025
Éditeur: SSI

A 5G FR1 43.5 dBm GaN Hybrid Doherty Power Amplifier with Dynamic Auxiliary Gate Voltage for Enhanced Gain at Saturation

Auteurs: Abdolhamid Noori, Jorge Julian Moreno Rubio, Christian Fager, Gregor Lasser
Publié dans: 2025 16th German Microwave Conference (GeMiC), 2025, ISSN 2167-8022
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/GEMIC64734.2025.10979016

A Comparative Analysis of GaN, SiC, and Si Transistors in kW-range Synchronous Converters

Auteurs: Lars van Eeuwijk, Bart Bokmans, Bas Vermulst
Publié dans: 2024 IEEE 9th Southern Power Electronics Conference (SPEC), 2025, ISSN 2832-2983
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SPEC62217.2024.10892938

Physics-of-Failure based Lifetime Prediction for Power Electronics under Mission Profile Load Conditions

Auteurs: Albrecht Jain, Horn Tobias Daniel, Leonhard Hertenstein, Rzepka Sven
Publié dans: 2025 26th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2025, ISSN 2833-8596
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME65125.2025.11006588

Influence of Reducing the Load Level of Mission Profiles on the Remaining Useful Life of a TO220 Analyzed with a Surrogate Model

Auteurs: Tobias Daniel Horn, Jan Albrecht, Sven Rzepka
Publié dans: PHM Society European Conference, Numéro 8, 2024, ISSN 2325-016X
Éditeur: PHM Society
DOI: 10.36001/PHME.2024.V8I1.3979

A 10 W GaN/Si Doherty Power Amplifier Designed for 15 GHz 6G Band with 8 dB Backoff Efficiency

Auteurs: Hossein Zaheri, Rob Vissers, Han Zhou, Gregor Lasser
Publié dans: 2025 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMIC), 2025, ISSN 2689-5498
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/INMMIC64198.2025.10975657

Magnetic Optimization for Three-Phase LLC Converters

Auteurs: Daniel Rios Linares; Alberto Delgado Exposito; Miroslav Vasic
Publié dans: PCIM Europe, 2023, ISBN 978-3-8007-6091-6
Éditeur: VDE
DOI: 10.30420/566091133

Peer reviewed articles (10)

The role of carbon segregation in the electrical activity of dislocations in carbon doped GaN

Auteurs: Ze F. Scales, Christian Koller, Liverios Lymperakis, Michael Nelhiebel, Michael Stoeger-Pollach
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 136, 2025, ISSN 0021-8979
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0213275

Analyzing the role of hole injection on the short circuit performance of p-GaN gate power HEMTs

Auteurs: D. Wieland, B. Butej, M. Stabentheiner, C. Koller, D. Pogany, C. Ostermaier
Publié dans: Microelectronics Reliability, Numéro 169, 2025, ISSN 0026-2714
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115722

Floating Capacitor Integrated DAB for Single-Phase, Single-Stage PFC in Wireless Battery Charging Application

Auteurs: I. Alzuguren, A. Garcia-Bediaga, A. Avila, A. Rujas and M. Vasić
Publié dans: IEEE Open Journal of Power Electronics, Numéro Volume 4, 2023, 2023, ISSN 2644-1314
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2023.3313314

Low-power AlGaN/GaN pressure sensors for harsh environmental conditions with high sensitivity

Auteurs: Matthias Moser, Mamta Pradhan, Ikram Ul Haq Emal, Satabdi Bastia, Mathias Kaschel, Kevin Edelmann, Ingmar Kallfass, Joachim N. Burghartz
Publié dans: Power Electronic Devices and Components, Numéro 10, 2025, ISSN 2772-3704
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.PEDC.2025.100076

IEEE Transactions on Power Electronics

Auteurs: Ander Udabe; Igor Baraia-Etxaburu; David Garrido Diez
Publié dans: IEEE Transactions on Power Electronics, 2025, ISSN 0885-8993
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/TPEL.2025.3532604

In-Chip Microfluidic Cooling Integrated on GaN Power IC Reaching High Power Density of 78kW/l

Auteurs: Remco van Erp, Nirmana Perera, Luca Nela, Ibrahim Osama Elhagali, Hongkeng Zhu, and Elison Matioli
Publié dans: IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, ISSN 0885-8993
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/TPEL.2024.3396508

A Delta-Sigma Modulated Power Converter With Inherent Zero-Voltage Switching

Auteurs: Bart F. J. Bokmans; Bas J. D. Vermulst; Jan M. Schellekens; Henk Huisman
Publié dans: IEEE Open Journal of Power Electronics, Numéro volume 5, 2024, ISSN 2644-1314
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2024.3359848

1.2 kV Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMTs on 200 mm Engineered Substrates

Auteurs: S. Kumar , K. Geens , A. Vohra , D. Wellekens , D. Cingu , E. Fabris , T. Cosnier, H. Hahn , B. Bakeroot , N. Posthuma , R. Langer, and S. Decoutere
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, Numéro Volume: 45, Numéro: 4,, 2024, ISSN 0741-3106
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/LED.2024.3361164

Junction temperature monitoring for cascode GaN devices using the Si MOSFET's body diode voltage drop

Auteurs: Zhebie Lu, Francesco Iannuzzo
Publié dans: Microelectronics Reliability, 2023, ISSN 0026-2714
Éditeur: Elsevier
DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115158

In-Operation Junction Temperature Extraction for Cascode GaN Devices Based on Turn-Off Delay

Auteurs: Zhebie Lu, Francesco Iannuzzo
Publié dans: IEEE Transactions on Power Electronics, Numéro 39, 2024, ISSN 0885-8993
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TPEL.2024.3354166