Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

Informazioni relative al progetto

ALL2GaN

ID dell’accordo di sovvenzione: 101111890

DOI 10.3030/101111890

Data della firma CE 17 Maggio 2023

Data di avvio 1 Maggio 2023

Data di completamento 30 Aprile 2026

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale € 60 026 056,18

Contributo UE € 15 942 166,77

Coordinato da

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Austria

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (3)

Floating Capacitor Integrated DAB for Single-Phase, Single-Stage PFC in Wireless Battery Charging Application

Autori: I. Alzuguren, A. Garcia-Bediaga, A. Avila, A. Rujas and M. Vasić
Pubblicato in: IEEE Open Journal of Power Electronics, Numero Volume 4, 2023, 2023, ISSN 2644-1314
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2023.3313314

A Delta-Sigma Modulated Power Converter With Inherent Zero-Voltage Switching

Autori: Bart F. J. Bokmans; Bas J. D. Vermulst; Jan M. Schellekens; Henk Huisman
Pubblicato in: IEEE Open Journal of Power Electronics, Numero volume 5, 2024, ISSN 2644-1314
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/OJPEL.2024.3359848

1.2 kV Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMTs on 200 mm Engineered Substrates

Autori: S. Kumar , K. Geens , A. Vohra , D. Wellekens , D. Cingu , E. Fabris , T. Cosnier, H. Hahn , B. Bakeroot , N. Posthuma , R. Langer, and S. Decoutere
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, Numero Volume: 45, Numero: 4,, 2024, ISSN 0741-3106
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/LED.2024.3361164