GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION

Información del proyecto

GRASP

Identificador del acuerdo de subvención: 101134936

DOI

10.3030/101134936

Fecha de la firma de la CE 17 Noviembre 2023

Fecha de inicio 1 Enero 2024

Fecha de finalización 31 Diciembre 2027

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 3 220 641,75

Aportación de la UE

€ 3 215 641,75

Coordinado por

KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Belgium

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Publicaciones

Conference proceedings (2)

An N-Type-Only a-IGZO Thin-Film-Transistor Based Nyquist-Rate 8-bit CDAC+SAR ADC Consuming 1.7mW at 32ksps and Achieving 44dB SNDR

Autores: Mohit Dandekar, Kris Myny
Publicado en: 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.23919/VLSITECHNOLOGYANDCIR65189.2025.11075081

1kb IGZO TFT Based Flexible SRAM for IoT Applications

Autores: Djihad Nacereddine Bouakaz, Mohit Dandekar, Jelle Biesmans, Wim Dehaene, Kris Myny
Publicado en: 2025 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/IMW61990.2025.11026949

Peer reviewed articles (3)

One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm² V⁻¹ s⁻¹ Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering

Autores: Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Publicado en: Advanced Functional Materials, Edición 35, 2025, ISSN 1616-301X
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202416238

Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors

Autores: Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Publicado en: IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2025.3577674

Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In_0.7Ga_0.3O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors

Autores: Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Publicado en: Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202500561