GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION

Projektinformationen

GRASP

ID Finanzhilfevereinbarung: 101134936

DOI

10.3030/101134936

EK-Unterschriftsdatum 17 November 2023

Startdatum 1 Januar 2024

Enddatum 31 Dezember 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 3 220 641,75

EU-Beitrag

€ 3 215 641,75

Koordiniert durch

KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Belgium

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Conference proceedings (2)

An N-Type-Only a-IGZO Thin-Film-Transistor Based Nyquist-Rate 8-bit CDAC+SAR ADC Consuming 1.7mW at 32ksps and Achieving 44dB SNDR

Autoren: Mohit Dandekar, Kris Myny
Veröffentlicht in: 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/VLSITECHNOLOGYANDCIR65189.2025.11075081

1kb IGZO TFT Based Flexible SRAM for IoT Applications

Autoren: Djihad Nacereddine Bouakaz, Mohit Dandekar, Jelle Biesmans, Wim Dehaene, Kris Myny
Veröffentlicht in: 2025 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IMW61990.2025.11026949

Peer reviewed articles (3)

One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm² V⁻¹ s⁻¹ Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering

Autoren: Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, Ausgabe 35, 2025, ISSN 1616-301X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202416238

Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors

Autoren: Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2025.3577674

Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In_0.7Ga_0.3O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors

Autoren: Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Veröffentlicht in: Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202500561