GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION

Informazioni relative al progetto

GRASP

ID dell’accordo di sovvenzione: 101134936

DOI

10.3030/101134936

Data della firma CE 17 Novembre 2023

Data di avvio 1 Gennaio 2024

Data di completamento 31 Dicembre 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 3 220 641,75

Contributo UE

€ 3 215 641,75

Coordinato da

KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Belgium

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Conference proceedings (2)

An N-Type-Only a-IGZO Thin-Film-Transistor Based Nyquist-Rate 8-bit CDAC+SAR ADC Consuming 1.7mW at 32ksps and Achieving 44dB SNDR

Autori: Mohit Dandekar, Kris Myny
Pubblicato in: 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.23919/VLSITECHNOLOGYANDCIR65189.2025.11075081

1kb IGZO TFT Based Flexible SRAM for IoT Applications

Autori: Djihad Nacereddine Bouakaz, Mohit Dandekar, Jelle Biesmans, Wim Dehaene, Kris Myny
Pubblicato in: 2025 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/IMW61990.2025.11026949

Peer reviewed articles (3)

One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm² V⁻¹ s⁻¹ Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering

Autori: Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Pubblicato in: Advanced Functional Materials, Numero 35, 2025, ISSN 1616-301X
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202416238

Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors

Autori: Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2025.3577674

Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In_0.7Ga_0.3O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors

Autori: Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Pubblicato in: Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202500561