GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION

Informacje na temat projektu

GRASP

Identyfikator umowy o grant: 101134936

DOI

10.3030/101134936

Data podpisania przez KE 17 Listopada 2023

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2024

Data zakończenia 31 Grudnia 2027

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 3 220 641,75

Wkład UE

€ 3 215 641,75

Koordynowany przez

KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Belgium

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Conference proceedings (2)

An N-Type-Only a-IGZO Thin-Film-Transistor Based Nyquist-Rate 8-bit CDAC+SAR ADC Consuming 1.7mW at 32ksps and Achieving 44dB SNDR

Autorzy: Mohit Dandekar, Kris Myny
Opublikowane w: 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/VLSITECHNOLOGYANDCIR65189.2025.11075081

1kb IGZO TFT Based Flexible SRAM for IoT Applications

Autorzy: Djihad Nacereddine Bouakaz, Mohit Dandekar, Jelle Biesmans, Wim Dehaene, Kris Myny
Opublikowane w: 2025 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/IMW61990.2025.11026949

Peer reviewed articles (3)

One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm² V⁻¹ s⁻¹ Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering

Autorzy: Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Opublikowane w: Advanced Functional Materials, Numer 35, 2025, ISSN 1616-301X
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202416238

Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors

Autorzy: Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Opublikowane w: IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2025.3577674

Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In_0.7Ga_0.3O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors

Autorzy: Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Opublikowane w: Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202500561