One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm<sup>2</sup> V<sup>−1</sup> s<sup>−1</sup> Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Opublikowane w:
Advanced Functional Materials, Numer 35, 2025, ISSN 1616-301X
Wydawca:
Wiley
DOI:
10.1002/ADFM.202416238
Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Opublikowane w:
IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/LED.2025.3577674
Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Opublikowane w:
Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Wydawca:
Wiley
DOI:
10.1002/ADMT.202500561