GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION

Informations projet

GRASP

N° de convention de subvention: 101134936

DOI

10.3030/101134936

Date de signature de la CE 17 Novembre 2023

Date de début 1 Janvier 2024

Date de fin 31 Decembre 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 3 220 641,75

Contribution de l’UE

€ 3 215 641,75

Coordonné par

KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Belgium

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Conference proceedings (2)

An N-Type-Only a-IGZO Thin-Film-Transistor Based Nyquist-Rate 8-bit CDAC+SAR ADC Consuming 1.7mW at 32ksps and Achieving 44dB SNDR

Auteurs: Mohit Dandekar, Kris Myny
Publié dans: 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/VLSITECHNOLOGYANDCIR65189.2025.11075081

1kb IGZO TFT Based Flexible SRAM for IoT Applications

Auteurs: Djihad Nacereddine Bouakaz, Mohit Dandekar, Jelle Biesmans, Wim Dehaene, Kris Myny
Publié dans: 2025 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IMW61990.2025.11026949

Peer reviewed articles (3)

One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm² V⁻¹ s⁻¹ Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering

Auteurs: Md. Hasnat Rabbi, MD Redowan Mahmud Arnob, Sabiqun Nahar, Abul Tooshil, Jin Jang
Publié dans: Advanced Functional Materials, Numéro 35, 2025, ISSN 1616-301X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202416238

Compact 8-bit Digital-to-Analog Converter using Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors

Auteurs: Sunaina Priyadarshi, Jin Jang
Publié dans: IEEE Electron Device Letters, 2025, ISSN 0741-3106
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/LED.2025.3577674

Continuous Grain Growth of High Band Gap InGaO on Crystalline In_0.7Ga_0.3O for 0.3 µm Channel Length Thin Film Transistors

Auteurs: Myeonggi Jeong, Jinbaek Bae, Junyeong Kim, Sunaina Priyadarshi, Heonbang Lee, Seungmin Woo, Seongcheol Moon, Jin Jang
Publié dans: Advanced Materials Technologies, 2025, ISSN 2365-709X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202500561